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기판의 제1 영역에 제1 트랜치를 형성하는 단계;상기 기판 전면으로 희생막을 형성하는 단계;상기 희생막을 화학적 기계적 연마(CMP)에 의한 평탄화 공정을 통해 상기 기판의 제2 영역 상부의 상기 희생막을 제거하는 단계;상기 기판 전면으로 멤브레인(membrane) 막을 형성하는 단계;상기 제2 영역의 상기 멤브레인 막을 제거하고 상기 제2 영역에 판독회로를 형성하는 단계; 및상기 제1 영역에 MEMS를 완성하는 단계;를 포함하고, 상기 MEMS와 상기 판독회로 사이에 단차가 없는 일체형 MEMS 센서 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 MEMS를 완성하는 단계는,상기 멤브레인 막 상부로 센서 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 트랜치 상부로 식각 통로를 형성하고 상기 제1 트랜치에 매립된 희생막을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 일체형 MEMS 센서 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 매립된 희생막 제거는 XeF2 를 이용하는 것을 특징으로 하는 일체형 MEMS 센서 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 멤브레인 막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 일체형 MEMS 센서
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제9 항에 있어서,상기 희생막은 다결정 실리콘 또는 비정질 실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 일체형 MEMS 센서 제조 방법
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제9 항에 있어서,상기 희생막을 형성하는 단계는상기 희생막 형성 전에 상기 기판 전면으로 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 희생막을 제거하는 단계에서는 상기 보호막의 일부 및 상기 희생막을 제거하며,상기 판독회로를 형성하는 단계에서는 상기 멤브레인 막 및 잔존하는 상기 보호막을 제거하는 것을 특징으로 하는 일체형 MEMS 센서 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 희생막을 형성하는 단계는상기 보호막 상에 정지막을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 희생막을 제거하는 단계에서는 상기 정지막 및 희생막을 제거하며,상기 판독회로를 형성하는 단계에서는 상기 멤브레인 막 및 상기 보호막을 제거하는 것을 특징으로 하는 일체형 MEMS 센서 제조 방법
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제9 항에 있어서,제1 트랜치를 형성하는 단계는 상기 제1 트랜치 형성 전에 상기 기판 전면에 정지막을 형성하는 단계를 더 포함하여, 상기 기판의 제1 영역에 상기 정지막 및 기판 상부 일부를 식각하여 제1 트랜치를 형성하고,상기 희생막을 형성하는 단계는상기 희생막 형성 전에 상기 기판의 제2 영역에 상기 정지막 및 기판 일부를 식각하여 적어도 1개의 제2 트랜치를 형성하는 단계; 및상기 기판 전면으로 보호막을 형성하는 단계;를 더 포함하고,상기 희생막을 제거하는 단계에서는 상기 평탄화 공정을 통해 상기 제2 트랜치의 보호막을 제외한 상기 보호막 및 희생막을 제거한 후 추가적인 식각 공정을 통해 정지막을 제거하는 것을 특징으로 하는 일체형 MEMS 센서 제조 방법
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제14 항 또는 제16 항에 있어서,상기 보호막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 일체형 MEMS 센서 제조 방법
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