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삼극형 전계 방출 에미터, 그 제조방법 및 이를 구비한 전계 방출 디스플레이

  • 기술번호 : KST2015093061
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전계 방출 디스플레이(field emission display)용 전계 방출 에미터(field emitter)의 구조와 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 나노튜브(nanotubes) 또는 나노와이어(nanowires) 등 나노구조(nanostructures)를 에미터로 사용한 삼극형 전계 방출 에미터(triode-type field emitter)의 구조와 제작법을 제시한다. 본 발명에서 제시한 삼극형 전계 방출 에미터를 하판으로 사용하고 형광체를 입힌 상판을 진공 패키징하면 고품질의 전계 방출 디스플레이를 제작할 수 있다. 나노구조로서 탄소, 질화붕소(Boron Nitride) 등으로 제조된 나노튜브나 질화갈륨(Gallium Nitride), 탄화규소(Silicon Carbide)등의 물질로 제조된 나노와이어는 가로세로비(aspect ratio)가 큰 기학적인 구조를 가지므로 전계 방출원으로 유용하다. 특히 전계 방출 디스플레이의 음극으로 본 발명에서 제시한 삼극형 전계 방출 에미터 어레이를 구현할 경우, 저전압 구동 고휘도의 전계 방출 디스플레이를 제작할 수 있다. 삼극형 전계 방출 에미터, 나노구조, 나노튜브, 나노와이어
Int. CL C01B 31/02 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1019990030373 (1999.07.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2001-0011136 (2001.02.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.07.26)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성율 대한민국 대전광역시유성구
2 백문철 대한민국 대전광역시유성구
3 조경익 대한민국 대전광역시유성구
4 허진 대한민국 대전광역시유성구
5 한기평 대한민국 대전광역시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)
3 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.07.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-0085505-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0131600-97
4 의견서
Written Opinion		 2001.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2001-0182086-55
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.07.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0182085-10
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0255296-73
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2001-5320401-88
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.12.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0335826-80
9 의견서
Written Opinion		 2001.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2001-0335825-34
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0090508-22
11 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.05.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0152543-17
12 의견서
Written Opinion		 2002.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2002-0152544-52
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2002.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0295215-57
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

삼극형 전계 방출 에미터에 있어서,

절연성 기판;

상기 기판 상에 형성된 캐소드 전극;

상기 캐소드 전극 상에 정렬되어 형성된 에미터로서의 나노구조;

상기 나노구조를 이웃하는 나노구조와 전기적으로 분리하는 절연체; 및

상기 절연체 상에서 상기 나노구조의 상단부에 근접하여 형성된 게이트전극

을 포함하여 이루어진 삼극형 전계 방출 에미터

2 2

제1항에 있어서,

상기 나노구조와 상기 캐소드전극 사이에 형성된 시드 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 에미터

3 3

제1항에 있어서,

상기 나노구조는

나노튜브 또는 나노와이어 또는 이들의 다발로 형성됨을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 에미터

4 4

제3항에 있어서,

상기 나노튜브는 탄소 또는 질화붕소이며, 상기 나노와이어는 질화갈륨 또는 탄화규소 또는 탄화티타늄 임을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 에미터

5 5

삼극형 전계 방출 에미터 제조방법에 있어서,

절연성 기판상에 캐소드 전극을 형성하는 제1단계;

상기 캐소드전극 상에 나노구조의 선택적 성장을 위한 금속층을 패터닝하는 제2단계;

상기 금속층 위에 공간적으로 선택적으로 나노구조를 성장시키는 제3단계;

결과물의 전면에 절연체와 게이트전극용 전도층을 형성하는 제4단계;

상기 나노구조 상단부의 상기 게이트 전극용 전도층을 선택적으로 제거하는 제5단계; 및

상기 게이트 전극용 전도층의 선택적 식각에 의해 드러나는 부위의 상기 절연체를 식각하여 나노구조를 노출시키는 제6단계

를 포함하여 이루어진 삼극형 전계방출 에미터 제조방법

6 6

제5항에 있어서,

상기 제5단계는 화학기계적연마를 사용하는 것을 특징으로 하는 삼극형 전계방출 에미터 제조방법

7 7

제6항에 있어서,

상기 화학기계적연마시, 상기 나노구조와 상기 게이트전극용 전도층의 상단부 부분이 거의 동일한 위치를 갖도록 실시하는 것을 특징으로 하는 삼극형 전계방출 에미터 제조방법

8 8

제5항에 있어서,

상기 제5단계는,

결과물 전면에 감광막 또는 SOG를 도포하는 단계; 및

상기 감광막 또는 SOG와, 상기 절연체 및 상기 게이트 전극용 전도층을 에치백하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 에미터 제조방법

9 9

제5항, 제6항 또는 제8항중 어느 한 항에 있어서,

상기 나노구조는 나노튜브 또는 나노와이어로 성장시키는 것을 특징으로 하며, 상기 나노구조를 수직적으로 성장시키는 것을 특징으로 하는 삼극형 전계 방출 에미터 제조방법

10 10

삼극형 전계 방출 에미터 제조방법에 있어서,

제1기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계;

상기 게이트전극을 덮으면서 소정부위가 오픈된 절연층을 형성하는 단계;

상기 절연층 상에 금속 분리층을 형성하는 단계;

상기 제1기판 전면에 나노구조의 시드(seed) 금속층을 물리적 증착하는 단계;

상기 금속층 상에 나노구조를 성장시키는 단계;

상기 금속분리층을 분리해 내는 단계;

그 표면에 캐소드전극이 형성된 제2기판을 준비하는 단계;

상기 나노구조와 상기 캐소드전극이 접하도록 상기 제1기판의 결과물 전면에 제2기판을 형성하는 단계;

상기 제1기판을 제거하여 상기 나노구조를 상기 제2기판으로 전이시키는 단계; 및

상기 시드 금속층을 제거하고 상기 게이트전극의 측벽이 드러나도록 상기 절연층을 일부 식각하는 단계

를 포함하여 이루어진 삼극형 전계방출어레이 제조방법

11 11

전계 방출 디스플레이에 있어서,

기판에 정렬된 나노구조와, 상기 나노구조를 이웃하는 소자와 전기적으로 분리하는 절연층과, 및 상기 절연층 상에서 상기 나노구조의 상단부에 근접하여 형성된 게이트전극을 포함하는 삼극형 전계 방출 에미터를 음극으로서 구비하고,

상기 나노구조로부터 발산된 전자에 여기되어 발광하는 형광체를 양극으로서 구비하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이

지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06472802 US 미국 FAMILY
2 US06648712 US 미국 FAMILY
3 US20030054723 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003054723 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6472802 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US6648712 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.