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산화금속을 이용한 미소 기준전극 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015093116
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화금속(metal oxide)을 이용한 미세 기준전극(micro reference electrode) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 절연기판(insulating board) 상에 형성된 전극(electrode)과, 상기 전극 상에 형성된 산화금속막(metal oxide film)과, 상기 산화금속막 상에 형성된 고분자막(polymer film)을 포함하는 기준전극 및 그 기준전극을 제조하는 방법을 제공한다. 이러한 본 발명의 기준전극은 제조 공정이 간단하며 반도체 일관공정을 사용하여 제작할 수 있다. 또한, 본 발명의 기준전극은 일정한 pH의 수용액 하에서 용해되지 않고 기준전위가 안정하게 존재하므로, 이 기준전극을 사용하여 연속적으로 전압을 걸어주어 전류를 측정하는 센서에 매우 유용하게 사용된다. 기준전극, 절연기판, 산화금속막, 고분자막
Int. CL G01N 27/30 (2006.01)
CPC G01N 27/301(2013.01) G01N 27/301(2013.01) G01N 27/301(2013.01) G01N 27/301(2013.01) G01N 27/301(2013.01)
출원번호/일자 1020010010254 (2001.02.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0434430-0000 (2004.05.24)
공개번호/일자 10-2002-0069796 (2002.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20040607) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.02.28)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양해식 대한민국 대전광역시서구
2 김윤태 대한민국 대전광역시유성구
3 최창억 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-0043827-10
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2002.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2002.10.12 수리 (Accepted) 9-1-2002-0024728-96
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0113868-62
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2003.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-5104545-12
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2003.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2003-5123898-03
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2003.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-5145935-10
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2003.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-0323108-60
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2003.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-0361030-88
12 의견서
Written Opinion
2003.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2003-0406613-85
13 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2003.10.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2003-0406611-94
14 등록결정서
Decision to grant
2004.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0183250-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

전기화학적 측정용 센서의 기준전극에 있어서,

절연기판 상에 형성된 전극용 금속막;

상기 금속막 상에 형성된 산화금속막; 및

상기 산화금속막 상에 형성된 고분자막을 포함하고,

상기 산화금속막은 산화이리듐막, 산화백금막, 산화루테늄막, 산화납막, 산화텅스텐막, 산화티탄막, 산화지르코늄막 중 어느 하나로 이루어지고,

상기 고분자막은 폴리우레탄, 셀룰로우즈 아세테이트, 나피온, 테플론 및 켈에프의 그룹으로부터 선택된 하나 이상이 단층 또는 복수의 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기준전극

2 2

제1항에 있어서,

상기 절연기판은 절연막이 형성된 실리콘기판 임을 특징으로 하는 기준전극

3 3

제2항에 있어서,

상기 금속막 및 상기 산화금속막은 상기 절연막의 홈 내에 형성됨을 특징으로 하는 기준전극

4 4

제2항에 있어서,

상기 절연막은 실리콘산화막 또는 실리콘질화막 임을 특징으로 하는 기준전

5 5

제1항에 있어서,

상기 절연기판은 유리기판, 세라믹기판, 플라스틱기판 중 어느 하나 임을 특징으로 하는 기준전극

6 6

제1항에 있어서,

상기 금속막은 백금, 금, 탄소, 로디움 및 알루미늄 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 기준전극

7 7

삭제

8 8

삭제

9 9

절연기판 상에 전극용 금속막을 형성하는 단계;

상기 금속막 상에 산화금속막을 형성하는 단계;

상기 산화금속막을 세척하는 단계;

상기 산화금속막 상에 고분자막을 형성하는 단계;

상기 고분자막을 건조시키는 단계

를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 기준전극의 제조방법

10 10

제9항에 있어서,

상기 산화금속막을 형성하는 단계는,

금속착염이 들어있는 용액을 준비하는 단계; 및

상기 금속막을 상기 용액에 담그고 상기 금속막에 전류 혹은 전압을 일정한 전하가 흐를 때까지 인가하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기준전극의 제조방법

11 11

제9항에 있어서,

상기 산화금속막은 상기 금속막을 산화시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 기준전극의 제조방법

12 12

제11항에 있어서,

상기 금속막은 진공증착에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 기준전극 제조방법

13 13

제9항에 있어서,

상기 금속막은 백금, 금, 탄소, 로디움 및 알루미늄 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 기준전극의 제조 방법

14 14

제9항에 있어서,

상기 산화금속막은 산화이리듐막, 산화백금막, 산화루테늄막, 산화납막, 산화텅스텐막, 산화티탄막 및 산화지르코늄 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 기준전극의 제조 방법

15 15

제9항에 있어서,

상기 고분자막은 폴리우레탄, 셀룰로우즈 아세테이트, 나피온, 테플론 및 켈에프의 그룹으로부터 선택된 어느 하나 이상이 단층 또는 복수의 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 기준전극 제조방법

16 16

제10항에 있어서,

상기 금속착염은 이리듐착염, 백금착염, 루테늄착염, 납착염, 텅스텐착염, 티탄착염 및 지르코늄착염 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기준전극 제조방법

17 17

제9항에 있어서,

상기 절연기판은 절연막이 형성된 실리콘기판 임을 특징으로 하는 기준전극 제조방법

18 18

제17항에 있어서,

상기 절연막은 실리콘산화막 또는 실리콘질화막 임을 특징으로 하는 기준전

19 19

제9항에 있어서,

상기 절연기판은 유리기판, 세라믹기판, 플라스틱기판 중 어느 하나 임을 특징으로 하는 기준전극

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.