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초고주파 가변 소자용 상유전체 박막 및 이를 포함하는초고주파 가변 소자

기술번호 : KST2015093142
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 통상의 가변 상유전체막의 유전 상수의 튜닝률 및 유전 손실의 한계성을 극복하기 위해 초고주파에서 유전 상수의 큰 튜닝률과 작은 유전 손실을 갖는 새로운 본 발명의 초고주파 가변 소자용 상유전체 박막, 상기 박막을 구비하는 초고주파 가변 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 박막은 산화물 단결정 기판 상에 형성된 페로브스카이트 ABO3형 상유전체막을 포함한다. 상기 상유전체막은 Ba(Zrx, Ti1-x)O3, Ba(Hfy, Ti1-y)O3, 및 Ba(Snz, Ti1-z)O3 물질들 중에서 선택된 것을 포함한다. 또한, 본 발명에 따른 상유전체 박막은 상기 선택된 물질에서 조성비를 달리하는 복수개의 상유전체막들로 이루어진 다층막(compositionally graded paraelectric film)을 포함한다. 본 발명에 따른 박막은 초고속, 저전력, 저가격화가 가능한 우수한 마이크로파 특성을 갖는 초고주파 주파수/위상 가변 소자를 구현할 수 있다.산화물, 상유전체, 페로브스카이트, ABO3, 초고주파 가변 소자
Int. CL	H01P 1/18 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC	H01L 21/76801(2013.01) H01L 21/76801(2013.01) H01L 21/76801(2013.01) H01L 21/76801(2013.01)
출원번호/일자	1020060007915 (2006.01.25)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자	10-0659974-0000 (2006.12.14)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20061222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020050120174 \| 2005.12.08
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.01.25)
심사청구항수	21

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이수재	대한민국	대전 유성구
2	류한철	대한민국	서울 중랑구
3	문승언	대한민국	대전 유성구
4	김영태	대한민국	서울 관악구
5	곽민환	대한민국	대전 유성구
6	강광용	대한민국	대전 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전 유성구

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.01.25	수리 (Accepted)	1-1-2006-0059412-78
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2006.10.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2006.11.13	수리 (Accepted)	9-1-2006-0071089-58
4	등록결정서 Decision to grant	2006.12.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0721381-93
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 산화물 단결정 기판, 및 상기 기판 상에 Ba(Zrx, Ti1-x)O3(0<x<1), Ba(Hfy, Ti1-y)O3(0<y<1), 및 Ba(Snz, Ti1-z)O3(0<z<1)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 상유전체막을 포함하는 초고주파 가변 소자용 상유전체 박막
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 산화물 단결정 기판은 MgO, LaAl2O3, 및 Al2O3 으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나임을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자용 상유전체 박막
3	3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 Ba(Zrx, Ti1-x)O3 은 0
4	4 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 Ba(Hfy, Ti1-y)O3 은 0
5	5 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 Ba(Snz, Ti1-z)O3 은 0
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 0
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 상유전체막은 0
8	8 산화물 단결정 기판, 및상기 기판 상에 형성되고 Ba(Zrx, Ti1-x)O3(0<x<1), Ba(Hfy, Ti1-y)O3(0<y<1), 및 Ba(Snz, Ti1-z)O3(0<z<1)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 다층막(compositionally graded paraelectric film)을 포함하고,상기 다층막은 서로 다른 x, y, 또는 z를 갖는 복수의 상유전체막들을 적어도 2 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자용 상유전체 박막
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 산화물 단결정 기판은 MgO, LaAl2O3, 및 Al2O3 중에서 선택되는 어느 하나임을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자용 상유전체 박막
10	10 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 Ba(Zrx, Ti1-x)O3 은 0
11	11 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 Ba(Hfy, Ti1-y)O3 은 0
12	12 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 Ba(Snz, Ti1-z)O3 은 0
13	13 제 8 항에 있어서, 상기 다층박막은 0
14	14 산화물 단결정 기판, 상기 기판상에 형성되는 Ba(Zrx, Ti1-x)O3(0<x1), Ba(Hfy, Ti1-y)O3(0<y<1), 및 Ba(Snz, Ti1-z)O3(0<z<1)로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 상유전체막, 및 상기 상유전체막 상에 형성되고 적어도 하나 이상의 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
15	15 제 14 항에 있어서, 상기 산화물 단결정 기판은 MgO, LaAl2O3, 및 Al2O3 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
16	16 제 14 항에 있어서, Ba(Zrx, Ti1-x)O3(0<x1), Ba(Hfy, Ti1-y)O3(0<y<1), 및 Ba(Snz, Ti1-z)O3(0<z<1) 로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 다층막을 포함하고, 상기 다층막은 x, y, 또는 z가 서로 다른 복수개의 상유전체막들이 적어도 2 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
17	17 제 14 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 Ba(Zrx, Ti1-x)O3 은 0
18	18 제 14 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 상기 Ba(Hfy, Ti1-y)O3 은 0
19	19 제 14 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 Ba(Snz, Ti1-z)O3 은 0
20	20 제 14 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 전극은 Au, Ag, Al, Cu, Cr 및 Ti로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자
21	21 제 14 항 또는 제 16 항에 있어서, 상기 초고주파 소자는 전압조절 가변 축전기, 가변 공진기, 가변 필터, 위상 변위기, 전압제어 발진기, 듀플렉서 및 가변 분배기로 이루어지는 군에서 선택되는 하나를 구성하는 것을 특징으로 하는 초고주파 가변 소자

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US20070132065	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2007132065	US	미국	DOCDBFAMILY

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데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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특허 등록번호	10-0659974-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20060125 출원 번호 : 1020060007915 공고 연월일 : 20061222 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20061204 청구범위의 항수 : 21 유별 : H01L 21/31 발명의 명칭 : 초고주파 가변 소자용 상유전체 박막 및 이를 포함하는초고주파 가변 소자 존속기간(예정)만료일 : 20091215

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 한국전자통신연구원 대전 유성구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	607,500 원	2006년 12월 15일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.01.25	수리 (Accepted)	1-1-2006-0059412-78
2	선행기술조사의뢰서	2006.10.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2006.11.13	수리 (Accepted)	9-1-2006-0071089-58
4	등록결정서	2006.12.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0721381-93
5	출원인정보변경(경정)신고서	2009.08.04	수리 (Accepted)	4-1-2009-5150899-36
6	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1440001558
세부과제번호	iita2004-S-001
연구과제명	통합미디어전달망기술개발
성과구분	등록
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	정보통신연구진흥원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2004
연구기간	200402~200801
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

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