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밀착형 이미지 센서

  • 기술번호 : KST2015093144
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 밀착형 이미지 센서에 관한 것으로, 자체 발광 기능을 지원하여 센서 표면에 밀착된 물체의 이미지를 보다 높은 해상도와 낮은 신호대 잡음비를 가지며 이미지를 획득할 수 있도록 하기 위하여, 기판과, 상기 기판상에 반도체 제조 공정을 통해 형성되어 광을 발생하는 하나 이상의 광 발생부와, 상기 광 발생부와 동일한 반도체 제조 공정을 통해 상기 기판상에 형성되어 피사체로부터 반사된 광량을 감지하여 광전류 또는 광전압을 발생하는 하나 이상의 광 감지부로 이루어지고, 2차원적 어레이로 배치되어 피사체의 2차원적 이미지를 획득하는 복수개의 이미지 픽셀들을 구비하며, 이에 의하여 별도의 백라이트를 구비하지 않아도 되어 이미지 센서의 크기를 획기적으로 감소시켜 줄 뿐 만 아니라 복수개의 이미지 픽셀들 각각의 동작 신뢰성을 증대시켜 높은 해상도와 낮은 신호대 잡음비를 가지는 이미지를 획득할 수 있도록 한다. 밀착형 이미지 센서, 자체 발광, 백라이트
Int. CL H01L 27/146 (2006.01)
CPC H01L 31/153(2013.01) H01L 31/153(2013.01) H01L 31/153(2013.01) H01L 31/153(2013.01) H01L 31/153(2013.01)
출원번호/일자 1020060117220 (2006.11.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0917598-0000 (2009.09.09)
공개번호/일자 10-2008-0047189 (2008.05.28) 문서열기
공고번호/일자 (20090917) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조두희 대한민국 대전광역시 유성구
2 송기봉 대한민국 대전광역시 서구
3 이상수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0867141-85
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.12.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0907517-76
3 출원심사청구서
Request for Examination		 2006.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0907519-67
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.08.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2007-0056836-96
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0531745-97
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2007-0820024-41
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.11.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0820025-97
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.04.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0201555-57
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2008.05.14 보정각하 (Rejection of amendment) 7-1-2008-0020288-64
11 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2008.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0326074-40
12 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2008.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0326073-05
13 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2008.07.21 수리 (Accepted) 7-8-2008-0023670-25
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0246362-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0480854-13
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.08.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0480852-11
18 등록결정서
Decision to grant		 2009.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0334843-11
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
피사체가 접촉되는 일측면을 가지는 기판; 및 상기 피사체가 접촉되지 않은 기판의 나머지 측면상에 2차원적 어레이로 배치되어, 상기 피사체의 2차원적 이미지를 획득하는 복수개의 이미지 픽셀들을 포함하며, 상기 복수개의 이미지 픽셀들 각각은 상기 기판의 나머지 측면상에 형성되어, 상기 기판의 일측면 쪽으로 광을 조사하는 하나 이상의 광 발생부; 및 상기 하나 이상의 광 발생부와 인접되도록 상기 기판의 나머지 측면상에 형성되어, 상기 기판의 일측면에 접촉된 피사체에 의해 반사된 후 입사되는 광을 감지하여 광전류 또는 광전압을 발생하는 하나 이상의 광 감지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지 센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 광 발생부는 상기 기판상에 형성되는 제1 투명 전극; 상기 제1 투명 전극상에 형성되어 상기 제1 투명 전극과 제1 상부 전극간의 전압이 문턱 전압이상이면 상기 광을 발생하는 제1도전형의 제1 반도체 박막 및 제2 도전형의 제2 반도체 박막; 및 상기 제2 도전형의 제2 반도체 박막상에 형성되는 상기 제1 상부 전극을 구비하는 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지 센서
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광 감지부는 상기 기판상에 형성되는 제2 투명 전극; 상기 제2 투명 전극상에 형성되어 상기 반사된 광량에 따라 상기 제2 투명 전극과 제2 상부 전극을 통해 흐르는 전류량을 가변하는 제2도전형의 제3 반도체 박막; 및 상기 제2도전형의 제3 반도체 박막상에 형성되는 상기 제2 상부 전극을 구비하는 저항인 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지 센서
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광 감지부는 상기 기판상에 형성되는 제3 투명 전극; 상기 제3 투명 전극상에 형성되어, 상기 반사된 광량에 따라 상기 광전압을 발생하고 상기 제3 투명 전극과 제3 상부 전극간에 인가하는 제1도전형의 제4 반도체 박막과 제2 도전형의 제5 반도체 박막; 및 상기 제2 도전형의 제5 반도체 박막상에 형성되는 상기 제3 상부 전극을 구비하는 포토 다이오드인 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지 센서
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광 감지부는 채널 영역, 상기 채널 영역의 양측에 형성되는 소스 및 드레인 영역을 구비하며 상기 기판상에 형성되는 반도체층; 상기 반도체층상에 형성되어 제3 전압이 인가되는 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극의 양측에 이격되도록 형성되고 제1전압과 제2 전압이 각각 인가되는 소스 및 드레인 전극을 구비하는 포토 박막 트랜지스터이고, 상기 채널 영역은 상기 반사된 광량에 따라 저항치가 가변되는 제2 도전형의 제6 반도체 박막인 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지 센서
6 6
제2항에 있어서, 상기 제1도전형은 p형이고, 상기 제2 도전형은 n형인것을 특징으로 하는 밀착형 이미지 센서
7 7
제6항에 있어서, 상기 n형 반도체 박막은 감광 특성을 가지는 황화카드뮴, 셀렌화 카드뮴, 황화아연, 셀렌화 아연, 비정질 실리콘 중 하나인 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지 센서
8 8
제6항에 있어서, 상기 p형 반도체 박막은 구리가 도핑된 황화카드뮴, 텔루르화카드뮴, 붕소가 도핑된 비정질 실리콘 박막 중 하나인 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지 센서
9 9
제2항에 있어서, 상기 기판은 유리기판인 것을 특징으로 하는 밀착형 이미지 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.