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기판상에 n-형으로 도핑된 제1 분산 브래그 반사경(Distributed Brag Reflector: DBR)을 형성하는 단계;상기 제1 DBR상에 하부 클래드층을 형성하는 단계;상기 하부 클래드층 상에 발광 활성층을 형성하는 단계;상기 발광 활성층 상에 제1 성장 온도 범위에서 제1 상부 클래드층을 형성하는 단계;상기 제1 온도 범위보다 낮은 제2 성장 온도 범위에서 제2 상부 클래드층을 형성하는 단계; 및상기 제2 상부 클래드층상에서 델타 도핑을 진행하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 델타 도핑을 수행한 후, 상기 제2 상부 클래드층상에 상기 제2 성장온도 범위에서 제3 상부 클래드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 발광소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 델타도핑 단계에서는 p-형 도펀트를 이용하여 도핑하는 반도체 발광소자 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 p-형 도펀트는 Zn, Mg, Be, C에서 선택하여 도핑하는 반도체 발광소자 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 제2 상부 클래드층 및 상기 제3 상부 클래드층의 두께는 상기 성장 온도 범위 또는 상기 도펀트에 따른 확산 거리 또는 상기 성장온도범위와 상기 도펀트에 따른 확산 거리에 의해 조절되는 반도체 발광소자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 제2 상부 클래드층의 두께는 10 ~ 50nm 두께 범위로 형성되는 반도체 발광소자 제조방법
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제6항에 있어서,상기 제3 상부 클래드층의 두께는 상기 제2 상부 클래드층 두께범위에서 선택되며, 상기 제2 상부 클래드층의 두께와 같거나 다르게 형성되는 반도체 발광소자 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 상부 클래드층 및 상기 제3 상부 클래드층을 형성시키는 상기 제2 성장 온도 범위는 상기 제1 성장 온도범위 보다 50 ~ 100℃ 범위만큼 낮은 온도범위인 반도체 발광소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 GaAs, Si, ZnO, Ge, 또는 InP로 이루어지는 반도체 발광소자 제조방법
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기판상에 형성되는 제1 DBR; 상기 제1 DBR상에 형성되는 하부 클래드층; 상기 하부 클래드층상에 형성되는 발광 활성층; 상기 발광 활성층 상에 형성되는 제1 상부 클래드층; 상기 제1 상부 클래드층상에 형성되는 제2 상부 클래드층; 상기 제2 상부 클래드층상에 형성되는 델타 도핑층; 및상기 델타 도핑층상에 형성되는 제3 상부 클래드층을 포함하는 반도체 발광소자
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제10항에 있어서,상기 델타 도핑층은 p-형 도펀트를 이용하여 도핑하는 반도체 발광소자
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