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비정질 바나듐 산화물의 합성 방법과 이를 포함하는 리튬이차전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015093195
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 NH4VO3 전구체를 이용한 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법과, 이로부터 얻어진 리튬 이차 전지 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법에서는, NH4VO3 전구체를 물에 용해시켜 NH4VO3 용액을 제조한다. 상기 NH4VO3 용액에 산을 첨가하여 상기 NH4VO3 용액을 산성화(acidification)시킴으로써 비정질 바나듐 산화물을 형성한다. 상기 NH4VO3 용액으로부터 상기 비정질 바나듐 산화물을 분리시킨다. 이와 같은 방법으로 합성된 비정질 바나듐 산화물을 활물질로 사용하여 본 발명에 따른 리튬 이차 전지의 전극을 구성한다. 비정질 바나듐 산화물, 리튬 이차 전지, 다공성 비정질 바나듐 산화물, 금속으로 도핑된 비정질 바나듐 산화물
Int. CL C01G 31/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010074563 (2001.11.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0433626-0000 (2004.05.19)
공개번호/일자 10-2003-0043403 (2003.06.02) 문서열기
공고번호/일자 (20040602) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.11.28)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장순호 대한민국 대전광역시유성구
2 김광만 대한민국 대전광역시유성구
3 김태안 대한민국 서울특별시송파구
4 오승모 대한민국 경기도안양시동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-0312104-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0040392-58
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2003.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0468119-19
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0020503-53
7 의견서
Written Opinion
2004.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2004-0020502-18
8 등록결정서
Decision to grant
2004.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0170549-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

NH4VO3 전구체를 물에 용해시켜 NH4VO3 용액을 제조하는 단계와,

상기 NH4VO3 용액의 pH가 0 ∼ 4로 되도록 상기 NH4VO3 용액에 산을 첨가하여 상기 NH4VO3 용액을 산성화(acidification)시킴으로써 비정질 바나듐 산화물을 형성하는 단계와,

상기 NH4VO3 용액으로부터 상기 비정질 바나듐 산화물을 분리시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 NH4VO3 용액에서 상기 NH4VO3 전구체의 농도는 0

3 3

제1항에 있어서, 상기 NH4VO3 용액을 제조하는 단계는 50 ∼ 200℃의 온도에서 행해지는 것을 특징으로 하는 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법

4 4

삭제

5 5

제1항에 있어서, 상기 비정질 바나듐 산화물을 형성하는 단계에서 상기 산은 질산, 염산, 황산, 인산, 초산 또는 붕산으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 비정질 바나듐 산화물을 분리시키는 단계는

상기 산성화된 NH4VO3 용액 내에서 상기 비정질 바나듐 산화물을 침전시키는 단계와,

상기 비정질 바나듐 산화물을 여과하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법

7 7

제1항에 있어서, 상기 비정질 바나듐 산화물을 형성하는 단계에서 상기 NH4VO3 용액에 첨가되는 산은 5 ∼ 70%의 순도를 가지는 것을 특징으로 하는 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법

8 8

제1항에 있어서, 상기 비정질 바나듐 산화물을 형성하는 단계에서는 상기 산성화된 NH4VO3 용액으로부터 발생되는 NH3를 완전히 기화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법

9 9

제1항에 있어서, 상기 비정질 바나듐 산화물을 형성하는 단계에서는 금속으로 도핑된 비정질 바나듐 산화물을 얻기 위하여 상기 NH4VO3 용액에 산을 첨가하여 상기 NH4VO3 용액을 산성화시킨 후, 얻어진 산성화된 NH4VO3 용액 내에 구리 또는 은으로 이루어지는 금속 분말을 첨가하는 것을 특징으로 하는 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법

10 10

삭제

11 11

제9항에 있어서, 상기 금속 분말은 상기 금속으로 도핑된 비정질 바나듐 산화물 내에서 금속이 V2O5 1M을 기준으로 0

12 12

제1항 또는 제9항에 있어서, 상기 비정질 바나듐 산화물을 형성하는 단계 후,

상기 비정질 바나듐 산화물에 물을 첨가하고 교반하여 겔(gel)상의 비정질 바나듐 산화물을 형성하는 단계와,

상기 겔상의 비정질 바나듐 산화물을 건조시켜 상기 비정질 바나듐 산화물보다 더 큰 비표면적을 가지는 다공성 비정질 바나듐 산화물을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법

13 13

제12항에 있어서, 상기 다공성 비정질 바나듐 산화물을 형성하는 단계에서는 상기 겔상의 비정질 바나듐 산화물을 용매 교환 방법 또는 초임계 유체를 이용하는 방법에 의하여 건조시키는 것을 특징으로 하는 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법

14 14

제1항 또는 제9항에 있어서, 상기 비정질 바나듐 산화물을 분리시키는 단계 후, 상기 분리된 비정질 바나듐 산화물을 건조시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법

15 15

제14항에 있어서, 상기 분리된 비정질 바나듐 산화물을 건조시키는 단계는 오븐(oven)을 이용하여 80 ∼ 120℃의 온도로 행해지는 것을 특징으로 하는 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법

16 16

제14항에 있어서, 상기 분리된 비정질 바나듐 산화물을 건조시키는 단계는 용매 교환 방법 또는 초임계 유체를 이용하는 방법에 의하여 행해지는 것을 특징으로 하는 비정질 바나듐 산화물의 합성 방법

17 17

제1항 또는 제9항에 따른 방법으로 제조된 비정질 바나듐 산화물로 이루어지는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지

18 18

제12항에 따른 방법으로 제조된 비정질 바나듐 산화물로 이루어지는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지

19 19

제1항 또는 제9항에 따른 방법으로 제조된 비정질 바나듐 산화물과, 도전재와, 결합재가 혼합된 혼합물을 제조하는 단계와,

상기 혼합물을 분산제와 함께 혼합하여 페이스트를 제조하는 단계와,

상기 페이스트를 금속 집전체에 도포하는 단계와,

상기 페이스트가 도포된 금속 집전체를 압축 및 건조시켜 라미네이트 형상의 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지의 제조 방법

20 20

제19항에 있어서, 상기 비정질 바나듐 산화물은 구리 또는 은으로 도핑된 비정질 바나듐 산화물인 것을 특징으로 하는 리튬 이차 전지의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.