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저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자

  • 기술번호 : KST2015093219
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전도성 구성체들간의 기계적 접촉에 의해 전자 신호를 전달하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자를 제공한다. 특히, 본 발명은 상기 전도성 구성체들중 적어도 어느 하나의 접촉면에 전도성 산화층이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 상기 전도성 구성체는 신호선이나 콘택 패드가 될 수 있다. 이렇게 본 발명의 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자는 신호선이나 콘택 패드 상에 전도성 산화층을 구비함으로써 미세용접 문제를 방지하여 신뢰성 및 취급 전력을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01H 59/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020031288 (2002.06.04)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0467318-0000 (2005.01.12)
공개번호/일자 10-2003-0094539 (2003.12.18) 문서열기
공고번호/일자 (20050124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.06.04)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양우석 대한민국 대전광역시서구
2 정성혜 대한민국 대전광역시동구
3 강성원 대한민국 대전광역시유성구
4 김윤태 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이영필 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 펜드래건 일렉트로닉스 앤드 텔레커뮤니케이션즈 리서치 엘엘씨 미국 워싱턴 ***** 커클랜드 캐럴란 포인트 *
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2002-0175406-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0009119-73
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0174264-04
6 의견서
Written Opinion		 2004.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0290460-98
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0290461-33
8 등록결정서
Decision to grant		 2004.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0556554-99
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

전도성 구성체들간의 기계적 접촉에 의해 전자 신호를 전달하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자에 있어서,

상기 전도성 구성체들중 적어도 어느 하나의 접촉면에 전도성 산화층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적소자

2 2

제1항에 있어서, 상기 전도성 구성체는 귀금속층으로 몸통을 구성하고, 상기 몸통 상에 상기 전도성 산화층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자

3 3

전도성 구성체들간의 기계적 접촉에 의해 전자 신호를 전달하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자에 있어서,

상기 전도성 구성체들중 어느 하나는 전도성 산화층의 단일층으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자

4 4

제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 전도성 산화층은 루테늄 산화막(ruthenium oxide), 이리듐 산화막(iridium oxide), 인디윰 산화막(indium oxide), 주석 산화막(tin oxide), 아연 산화막(zinc oxide) 또는 인디윰 주석 산화막(indium tin oxide)으로 구성하는 것을 특징으로 하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자

5 5

제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 전도성 산화층은 반응성 마그네트론 스퍼터링법과 같은 물리적 증착법 또는 유기금속화학증착법과 같은 화학적 증착법(chemical vapor deposition method)으로 형성된 것을 특징으로 하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자

6 6

기판 상에 형성되고 입력단과 출력단의 두 부분이 단락된 신호선;

상기 신호선과 이격되어 기판 상에 형성된 하부전극;

상기 하부 전극과 이격되어 상기 기판 상에 형성된 앵커(anchor);

상기 앵커에 일단부가 고정되고 타단부는 상기 하부 전극 및 신호선의 단락부와 기판의 수직방향으로 일정 간격 떠있는 칸티레버;

상기 칸티레버의 타단부에 상기 신호선의 단락부와 마주보도록 형성된 콘택 패드; 및

상기 칸티레버 상에 형성된 상부전극을 포함하여 이루어지되, 상기 신호선 및 상기 콘택 패드의 표면중 적어도 어느 하나에는 전도성 산화층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자

7 7

제6항에 있어서, 상기 신호선 및 콘택 패드는 귀금속층으로 몸통을 구성하고, 상기 몸통 상에 상기 전도성 산화층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자

8 8

기판 상에 형성되고 입력단과 출력단의 두 부분이 단락된 신호선;

상기 신호선과 이격되어 기판 상에 형성된 하부전극;

상기 하부 전극과 이격되어 상기 기판 상에 형성된 앵커(anchor);

상기 앵커에 일단부가 고정되고 타단부는 상기 하부 전극 및 신호선의 단락부와 기판의 수직방향으로 일정 간격 떠있는 칸티레버;

상기 칸티레버의 타단부에 상기 신호선의 단락부와 마주보도록 형성되고 전도성 산화층으로 구성된 콘택 패드; 및

상기 칸티레버 상에 형성된 상부전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자

9 9

제8항에 있어서, 상기 신호선은 귀금속층으로 구성하는 것을 특징으로 하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자

10 10

제6항 또는 제8항에 있어서, 상기 전도성 산화층은 루테늄 산화막(ruthenium oxide), 이리듐 산화막(iridium oxide), 인디윰 산화막(indium oxide), 주석 산화막(tin oxide), 아연 산화막(zinc oxide) 또는 인디윰 주석 산화막(indium tin oxide)으로 구성하는 것을 특징으로 하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자

11 11

제6항 또는 제8항에 있어서, 상기 전도성 산화층은 반응성 마그네트론 스퍼터링법과 같은 물리적 증착법 또는 유기금속화학증착법과 같은 화학적 증착법으로 형성된 것을 특징으로 하는 저항식 전자기계적 접촉을 이용하는 미세전자기계적 소자

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06963117 US 미국 FAMILY
2 US20030222321 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003222321 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6963117 US 미국 DOCDBFAMILY
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