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고효율 반도체 발광 소자

  • 기술번호 : KST2015093223
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고효율 반도체 발광 소자에 관한 것으로, 본 발명에 따른 반도체 발광 소자는 하부전극, 발광층 및 상부전극을 포함하는 반도체 발광 소자에 있어서, 상기 발광층은 실리콘 나노 결정을 포함하고, 상기 발광층 상부에 서로 다른 밴드 갭을 갖는 박막을 교대로 성장시킨 다층 구조의 도핑층을 포함한다. 이와 같은 서로 다른 밴드갭을 갖는 박막을 교대로 성장시킨 다층 구조의 도핑층을 발광층 상부에 포함시킴에 따라서, 발광층으로의 캐리어 주입효율을 증가시켜 궁극적으로 발광 효율을 증가시킨다.발광, 소자, 효율, 밴드갭
Int. CL H01L 33/08 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020090111652 (2009.11.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1290150-0000 (2013.07.22)
공개번호/일자 10-2011-0054859 (2011.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (20130726) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허철 대한민국 대전광역시 유성구
2 김경현 대한민국 대전광역시 유성구
3 고현성 대한민국 서울특별시 서초구
4 김봉규 대한민국 대전광역시 유성구
5 김완중 대한민국 경기도 고양시 덕양구
6 홍종철 대한민국 대전광역시 서구
7 성건용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0708906-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.01.24 수리 (Accepted) 9-1-2013-0004782-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0079101-20
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-0256080-65
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0256111-93
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0495535-78
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부전극, 발광층 및 상부전극을 포함하는 반도체 발광 소자에 있어서,상기 발광층은 실리콘 나노 결정을 포함하고,상기 발광층 상부에 서로 다른 밴드갭을 갖는 박막을 교대로 성장시킨 다층 구조의 도핑층을 포함하되,상기 서로 다른 밴드 갭을 갖는 박막은 밴드 갭이 높은 실리콘 카본 나이트라이드 박막 및 밴드 갭이 낮은 실리콘 카바이드 박막이 교대로 성장된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 하부전극과 발광층 사이에 정공주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
3 3
제 1항에 있어서,상기 도핑층 상에 전자 주입층 또는 투명 전도성 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
4 4
제 1항 내지 제3항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 발광층은 실리콘 나노 결정을 포함하는 실리콘 나이트라이드(SiNx) 박막이며, 1㎚이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1항 내지 제 3항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 서로 다른 밴드 갭을 갖는 박막의 하나의 두께는 1㎚이상이고, 도핑층의 총두께는 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
8 8
제 2항에 있어서, 상기 정공 주입층으로는 p형의 실리콘 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
9 9
제 3항에 있어서, 상기 전자 주입층은 n형의 실리콘 카바이드계 물질을 사용하며, 1㎚ 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 반도체 발광 소자
10 10
제 9항에 있어서,상기 n형의 실리콘 카바이드계 물질로는 SiC 또는 SiCN인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
11 11
제 3항에 있어서,상기 투명 전도성 전극은 ITO, SnO2, In2O3, Cd2SnO4 또는 ZnO을 포함하며, 1㎚ 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
12 12
제 1항 내지 제 3항중 어느 하나의 항에 있어서,상기 도핑층은 투명층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.