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기판 상에 제1 반도체층, 흡수층, 제2 반도체층, 포토 클래드층, 및 포토 캡층을 형성하는 단계;상기 포토 캡층 상에 제1 절연막을 형성한 다음, 상기 제1 절연막 상에 형성된 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제1 절연막을 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 제1 절연막을 마스크로 이용하여, 상기 포토 캡층, 포토 클래드층, 제2 반도체층 및 흡수층을 식각하는 단계;상기 패터닝된 제1 절연막을 제거한 다음, 패터닝된 상기 포토 캡층 및 상기 제1 반도체층 상에 제2 절연막을 형성하는 단계;상기 제2 절연막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제2 절연막을 패터닝하는 단계;상기 패터닝된 제2 절연막을 이용하여 상기 반도체층을 패터닝하는 단계; 및상기 패터닝된 제2 절연막을 제거한 다음, 상기 포토 캡층 및 상기 제1 반도체층 상에 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 핀 포토다이오드의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판 일영역에 폴리이미드층을 형성한 다음, 상기 폴리이미드층을 패터닝하고, 패터닝된 상기 폴리이미드층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 핀 포토다이오드 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 포토 캡층과 상기 제1 반도체층 상에 상기 제1 전극을 형성하는 단계는, 상기 노출된 제1 반도체층 상에 포토레지스트를 증착한 다음 리소그라피 공정을 수행하는 단계, 이미지 반전법을 이용하여 상기 포토레지스트를 현상하는 단계, 상기 제1 반도체층 및 상기 포토 캡층 상에 제1 금속층을 증착하는 단계, 및 리프트 오프 공정을 이용하여 상기 포토 레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 핀 포토다이오드 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 제2 전극을 형성하는 단계는,상기 패터닝된 폴리이미드층을 큐어링하는 단계, 및상기 큐어링 공정을 수행한 다음, 상기 패터닝된 폴리이미드층 상에 이미지 반전법을 이용하여 제2 금속층을 증착하는 단계를 포함하는 핀 포토 다이오드 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 폴리이미드층을 패터닝하는 단계에서는 상기 제2 전극을 위치시키기 위해 형성된 전극 패턴과 상기 기판과 상기 포토 캡층과의 단차를 줄이기 위한 경사패턴을 형성하는 핀 포토 다이오드 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층은 서로 다른 타입으로 도핑되며, InGaAsP 물질로 형성되는 핀 포토다이오드 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 서로 다른 타입으로 형성되며, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 하나는 P 전극이고 다른 하나는 N전극인 핀 포토다이오드 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 흡수층과 상기 포토 캡층은 InGaAs 물질로 형성되는 핀 포토다이오드 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 포토 클래드층은 InP 물질로 형성되는 핀 포토다이오드 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 포토 캡층, 포토 클래드층, 제2 반도체층 및 흡수층을 식각하는 단계, 및 상기 제1 반도체층을 식각하는 단계는 건식 식각 공정을 이용하는 핀 포토다이오드 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 절연막 및 제2 절연막은 실리콘 질화막을 이용하는 핀 포토다이오드 제조방법
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기판 상의 일영역에 형성된 제1 반도체층, 흡수층, 제2 반도체층, 포토 클래드층, 포토 캡층을 포함하는 웨이브 가이드;상기 웨이브 가이드의 포토 캡층과 노출된 제1 반도체층 상에 형성된 제1 전극;상기 기판 상에 형성되며, 전극 적층을 위한 전극 패턴과 상기 전극 패턴과 연결되며 상기 기판과 상기 포토 캡층과의 단차를 줄이기 위해 형성된 경사 패턴을 포함하는 폴리이미드층; 및상기 웨이브 가이드와 전기적으로 연결되며 상기 폴리이미드층의 전극 패턴과 경사 패턴 상에 형성되는 제2 전극을 포함하는 핀 포토 다이오드
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제12항에 있어서,상기 제1 전극과 제2 전극은 서로 다른 타입의 전극인 핀 포토 다이오드
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