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실리콘 기판 상에 형성되는 제1 실리콘칩;상기 제1 실리콘칩과 연결되도록 상기 실리콘 기판 상에 형성되어, 상기 제1 실리콘칩으로부터의 전기신호를 입력받아 다중 광 신호로 출력하는 광 방출기;상기 실리콘 기판 상에 상기 광 방출기와 연결되어 상기 다중 광 신호를 감지하여 다중 전기신호로 변환하는 광 검출기;상기 실리콘 기판 상에서 상기 광 검출기와 연결되어 상기 광 검출기에서 출력되는 상기 다중 전기 신호를 입력받는 제2 실리콘칩; 및상기 광 방출기와 상기 광 검출기를 연결하는 다중 채널 파이버를 포함하되, 상기 광 방출기는 실리콘-게르마늄 중간층과 상기 실리콘-게르마늄 중간층 상에 형성된 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 배선 전자소자
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실리콘 기판 상에 형성되는 제1 실리콘칩;상기 제1 실리콘칩과 연결되도록 상기 실리콘 기판 상에 형성되어, 상기 제1 실리콘칩으로부터의 전기신호를 입력받아 다중 광 신호로 출력하는 광 방출기;상기 실리콘 기판 상에 상기 광 방출기와 연결되어 상기 다중 광 신호를 감지하여 다중 전기신호로 변환하는 광 검출기;상기 실리콘 기판 상에서 상기 광 검출기와 연결되어 상기 광 검출기에서 출력되는 상기 다중 전기 신호를 입력받는 제2 실리콘칩; 및상기 실리콘 기판 하부에 형성되어 상기 광 방출기에서 방출된 광신호를 상기 광 검출기로 전송하는 광판을 포함하되, 상기 광 방출기는 실리콘-게르마늄 중간층과 상기 실리콘-게르마늄 중간층 상에 형성된 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광 배선 전자소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 광 방출기는 LED인 광 배선 전자소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 광 검출기는 실리콘-게르마늄 PiN PD, 실리콘-게르마늄 PD 또는 게르마늄 PD 중 하나인 광 배선 전자소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1 실리콘 칩은 실리콘-게르마늄 이종 접합 트랜지스터를 이용한 구동회로를 포함하는 광 배선 전자소자
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제1항에 있어서,상기 실리콘 기판 하부에 형성된 회로 기판을 더 포함하며,상기 회로 기판 상에 형성된 상기 실리콘 기판은 제1 실리콘 기판과 제2 실리콘 기판으로 이루어지며, 상기 제1 실리콘칩과 상기 광 방출기는 상기 제1 실리콘 기판 상에 형성되며, 상기 광 검출기와 상기 제2 실리콘칩은 상기 제2 실리콘 기판 상에 형성되는 광 배선 전자소자
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제2항에 있어서,상기 광 방출기에서 출력되어 상기 실리콘 기판을 통과한 광 신호는 상기 광판을 따라 수평 전파하여 상부로 분기되어 상기 광 검출기에 도달하는 광 배선 전자소자
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