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기판의 전체 영역을 센서 영역과 CMOS 소자 영역으로 구분하는 단계;
상기 CMOS 소자 영역에 스트레스 버퍼층을 형성하는 단계;
상기 센서 영역을 트랜치 식각하여 복수의 트랜치를 형성하는 단계;
상기 스트레스 버퍼층과 상기 트랜치에 대해 열적 산화 공정을 수행하여, 소자간 격리를 위한 필드 산화막과 공동 형성을 위한 캐비티 형성용 산화막을 형성하는 단계;
상기 스트레스 버퍼층을 제거하고, 상기 센서 영역에 맴브레인 모재용 물질막을 형성하는 단계;
상기 CMOS 소자 영역에 소오스 및 드레인 도핑영역, 게이트 산화막 및 게이트 폴리를 순차적으로 형성하여 반도체 집적 소자를 형성하는 단계;
상기 캐비티 형성용 산화막 위에 형성된 맴브레인 모재용 물질막에 복수의 식각홀을 형성하는 단계;
상기 복수의 식각홀을 통해 식각재를 수직 방향으로 투입하여, 상기 캐비티 형성용 산화막을 제거하고 기판에 매몰된 공동을 형성하는 단계;
상기 맴브레인 모재용 물질막의 상부에 맴브레인 보강층을 형성하여, 상기 공동을 밀폐하는 맴브레인막을 형성하는 단계;
상기 맴브레인막의 상부에 압저항형 소재로 이루어진 감지막을 형성하는 단계; 및
상기 감지막과 상기 반도체 집적 소자를 전기적으로 연결하는 금속층을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 공동, 상기 맴브레인막 및 상기 감지막으로 형성되는 압력 센서 구조물과 상기 하나 이상의 반도체 집적 소자가 단일 칩 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 초소형 압저항형 압력 센서의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초소형 압저항형 압력 센서의 제조 방법
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제9항에 있어서,
상기 캐비티 형성용 산화막과 상기 필드 산화막은 동일한 열적 산화 공정에 의하여 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 초소형 압저항형 압력 센서의 제조 방법
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제12항에 있어서,
상기 복수의 트랜치의 폭은 2㎛ 이내이고, 상기 복수의 트랜치 사이의 간격은 상기 트랜치의 폭의 0
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제9항에 있어서,
상기 캐비티 형성용 산화막 및 상기 필드 산화막이 형성된 후에, 상기 소자 영역에 형성되어 있는 스트레스 버퍼층을 습식 식각을 통해 제거하는 단계 및 표면 평탄화를 위해 CMP(chemical mechanical polishing) 방법에 의한 연마공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 압저항형 압력 센서의 제조 방법
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제14항에 있어서,
상기 기판에 매몰된 공동을 형성한 후, 상기 복수의 식각홀이 형성된 맴브레인 모재용 물질막을 열적 산화시켜, 상기 맴브레인 모재용 물질막의 부분 산화에 의한 볼륨 팽창을 통해 상기 복수의 식각홀을 좁히는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 압저항형 압력 센서의 제조 방법
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제16항에 있어서,
상기 맴브레인 모재용 물질막은 폴리실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초소형 압저항형 압력 센서의 제조 방법
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제17항에 있어서, 상기 캐비티 형성용 산화막을 제거하여 상기 기판에 매몰된 공동을 형성하는 단계는,
폴리실리콘과 실리콘 산화막의 큰 식각비 차이를 이용하는 불화 수소용액의 습식 산화막 식각법 또는 건식 산화막 식각법으로 상기 캐비티 형성용 산화막을 제거하는 단계임을 특징으로 하는 초소형 압저항형 압력 센서의 제조 방법
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제16항에 있어서,
상기 맴브레인 모재용 물질막의 열적 산화는, 상기 소오스 및 드레인 도핑영역의 확산 열처리 공정을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 초소형 압저항형 압력 센서의 제조 방법
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제19항에 있어서, 상기 복수의 식각홀의 직경은 0
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제16항에 있어서,
상기 형성된 소스, 드레인, 및 게이트의 상부에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 압저항형 압력 센서의 제조 방법
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제21항에 있어서,
상기 절연막과 상기 맴브레인 보강층은 동일한 물질로 동일한 공정에 의해 함께 형성되는 것을 특징으로 하는 초소형 압저항형 압력 센서의 제조 방법
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제22항에 있어서,
상기 절연막과 상기 맴브레인 보강층은, 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막등의 절연막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 초소형 압저항형 압력 센서의 제조 방법
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제16항에 있어서, 상기 감지막과 상기 반도체 집적 소자를 전기적으로 연결하는 금속층을 형성하는 단계는
상기 절연막 및 감지막이 형성된 후, 칩보호용 산화막층을 형성하고, 상기 칩보호용 산화막층을 일부 개방하여 상기 감지막과 상기 반도체 집적 소자들을 전기적으로 연결하기 위한 금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 초소형 압저항형 압력 센서의 제조 방법
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