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볼로미터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015093299
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 잡음 감소 및 온도 감지에 대한 정밀도가 향상된 볼로미터 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 결정화도가 높은 단결정 실리콘(Si) 또는 실리콘 게르마늄(Si1-xGex, x=0.2~0.5)으로 저항층을 형성함으로써, 종래의 비정질 실리콘 볼로미터에 비하여 1/f 잡음을 감소시킬 수 있으며, 이에 따라 적외선 센서의 온도 감지에 대한 정밀도를 획기적으로 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/09 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070122577 (2007.11.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0925214-0000 (2009.10.29)
공개번호/일자 10-2009-0055766 (2009.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20091106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.29)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양우석 대한민국 대전 서구
2 조성목 대한민국 대전 유성구
3 류호준 대한민국 서울 노원구
4 전상훈 대한민국 대전 유성구
5 유병곤 대한민국 대전 유성구
6 최창억 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0860680-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0062317-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0181181-50
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0352874-02
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0352881-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0443962-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내부에 검출회로를 포함하는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 표면의 일부 영역에 형성된 반사막과, 상기 반사막의 양측에서 이격되어 형성된 금속 패드와, 상기 반사막의 표면으로부터 적외선 파장(λ)/4만큼의 공간을 이루며 상기 반도체 기판의 상부에 위치하는 센서 구조체를 포함하며, 상기 센서 구조체는, 불순물이 도핑된 단결정 실리콘(Si) 또는 실리콘 게르마늄(Si1-xGex, x=0
2 2
제 1항에 있어서, 상기 몸통부는 제1 절연막, 상기 저항층, 제2 절연막, 전극, 흡수층 및 제3 절연막이 순차적으로 적층된 구조이며, 상기 지지팔은 상기 제2 절연막, 상기 전극 및 상기 제3 절연막이 순차적으로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 볼로미터
3 3
제 2항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제3 절연막은 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 볼로미터
4 4
제 2항에 있어서, 상기 전극은 질화타이타늄(TiN) 또는 니켈크롬(NiCr)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 볼로미터
5 5
제 2항에 있어서, 상기 흡수층은 질화타이타늄(TiN)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 볼로미터
6 6
제 1항에 있어서, 상기 적외선 파장(λ)은 8~12 ㎛인 것을 특징으로 하는 볼로미터
7 7
제 1항에 있어서, 상기 반사막과 상기 금속 패드를 포함하는 반도체 기판의 표면에 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 보호막이 형성된 것을 특징으로 하는 볼로미터
8 8
제 2항에 있어서, 상기 금속 패드와 상기 저항층의 안정적인 전기적 연결을 위해 상기 금속 패드와 상기 전극 사이에 보조 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 볼로미터
9 9
내부에 검출회로가 형성된 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체 기판 표면의 일부 영역에 반사막을 형성하고, 상기 반사막의 양측에서 이격하여 금속 패드를 형성하는 단계; 상기 반사막과 금속 패드를 포함하는 반도체 기판의 표면에 보호막을 형성하는 단계; 상기 반사막, 금속 패드 및 보호막이 형성된 상기 반도체 기판의 전면에 적외선 파장(λ)/4 두께의 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층의 상부에 불순물이 도핑된 단결정 실리콘(Si) 또는 실리콘 게르마늄(Si1-xGex, x=0
10 10
제 9항에 있어서, 상기 보호막은 산화알루미늄(Al2O3)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조 방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 희생층은 BCB(Benzocylobutene)를 스핀코팅(spin-coating)으로 도포하여 형성하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조 방법
12 12
제 9항에 있어서, 상기 희생층은 불소(F)를 함유한 가스와 산소(O2)가 혼합된 에칭 가스를 사용하는 마이크로웨이브 플라즈마 연소(microwave plasma ashing)법으로 제거하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조 방법
13 13
제 9항에 있어서, 상기 센서 구조체를 형성하는 단계는, 실리콘 웨이퍼, 산화물층, 상기 저항층 및 제1 절연막이 순차적으로 형성된 별도의 SOI(Silicon On Insulator) 또는 SGOI(Silicon-Germanium On Insulator) 기판을 준비하는 제1 단계; 상기 희생층이 형성된 반도체 기판과 상기 SOI 또는 SGOI 기판을 본딩하는 제2 단계; 상기 SOI 또는 SGOI 기판의 실리콘 웨이퍼 및 산화물층을 순차적으로 제거하여 상기 제1 절연막 및 상기 저항층을 상기 희생층 상에 남기는 제3 단계; 상기 저항층, 상기 제1 절연막, 상기 희생층 및 상기 보호막의 일부를 순차적으로 제거하여 상기 금속 패드를 노출시키는 제4 단계; 상기 저항층, 상기 제1 절연막 및 상기 희생층의 노출된 부분을 균일한 두께로 덮는 제2 절연막을 형성한 후, 상기 저항층의 양측 표면의 일부가 노출되도록 상기 제2 절연막의 일부분을 제거하는 제5 단계; 상기 저항층과 상기 금속 패드를 전기적으로 연결하는 보조 전극 및 전극을 형성하는 제6 단계; 상기 노출된 제2 절연막 상에 흡수층을 형성하는 제7 단계; 및 상기 전극, 제2 절연막 및 흡수층을 덮는 제3 절연막을 형성하는 제8 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조 방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 제2 단계에서, 상기 희생층이 형성된 반도체 기판과 상기 SOI 또는 SGOI 기판을 진공 중에서 열압착 본딩(thermal compression bonding)하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 볼로미터 제조 방법
15 15
제 13항에 있어서, 상기 제3 단계에서, 상기 SOI 또는 SGOI 기판의 실리콘 웨이퍼를 수산화칼륨(KOH) 또는TMAH(Tetra-Methyl Ammonium Hydroxide) 수용액을 사용하는 스프레이 에칭(spray etching)으로 제거하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조 방법
16 16
제 13항에 있어서, 상기 제3 단계에서, 상기 SOI 또는 SGOI 기판의 산화물층을 불산(HF) 수용액을 사용하는 스프레이 에칭(spray etching)으로 제거하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조 방법
17 17
제 13항에 있어서, 상기 희생층이 형성된 반도체 기판과 상기 SOI 또는 SGOI 기판을 본딩한 후의 후속공정들은 350 ℃ 이하의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조 방법
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1 US2009140148 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스용 CMOS 기반 MEMS 복합센서기술개발