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반도체 광전 집적회로 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015093355
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 광전 집적회로 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 반도체 광전 집적회로는 기판 상에 배치되고 입력단 및 출력단을 포함하는 광도파로, 광도파로 상에 형성된 광 격자, 및 광 격자 상에 배치된 광 능동 소자를 포함한다.
Int. CL H01L 31/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070132339 (2007.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0937591-0000 (2010.01.12)
공개번호/일자 10-2009-0064951 (2009.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20100120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.17)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박미란 대한민국 대전 유성구
2 권오균 대한민국 대전 유성구
3 박정우 대한민국 대전 유성구
4 김경옥 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0905984-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0072206-52
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0215287-22
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0440054-77
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0490684-73
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 배치되고 입력단 및 출력단을 포함하는 광도파로; 상기 광도파로 상에 형성된 광 격자; 및 상기 광 격자 상에 배치되고, 상기 광도파로부터 상기 광 격자를 통하여 광신호를 입력 받아 상기 광신호를 변조하는 광 능동 소자를 포함하는 반도체 광전 집적회로
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 광 능동 소자 및 상기 광 격자 사이에 배치된 접착층을 더 포함하되, 상기 광 능동 소자는 상기 접착층에 의하여 상기 광 격자 상에 장착된 반도체 광전 집적회로
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 광 능동 소자가 장착된 칩 기판; 및 상기 칩 기판과 상기 기판 사이에 개재된 칩 본딩 범퍼(chip bonding bumper)를 더 포함하되, 상기 광 능동 소자는 상기 칩 기판 및 상기 기판 사이에 개재되어 상기 광 격자 상에 배치된 반도체 광전 집적회로
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 광 능동 소자는 전계에 의하여 상기 광도파로 로부터 입력된 광신호를 흡수 또는 비흡수하고, 상기 광 능동 소자는 상기 비흡수된 광신호를 상기 광 격자를 통하여 상기 광도파로로 출력하는 반도체 광전 집적회로
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 광 능동 소자는 상기 광도파로 로부터 입력된 광신호의 위상을 변조하고, 상기 위상이 변조된 광신호를 상기 광 격자를 통하여 상기 광도파로로 출력하는 반도체 광전 집적회로
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 광 능동 소자는, 상기 광 격자 상에 인접한 제1 반사층; 상기 제1 반사층 상에 배치되고 상기 제1 반사층에 비하여 높은 반사율을 갖는 제2 반사층; 및 상기 제1 및 제2 반사층들 사이에 개재되고, 상기 광 격자 상부에 배치된 광학 활성층을 포함하는 반도체 광전 집적회로,
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 제1 반사층, 광학 활성층 및 제2 반사층은 3-5족 화합물 반도체로 형성된 반도체 광전 집적회로
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 제1 반사층 및 제2 반사층 중에 어느 하나는 n형 도펀트로 도핑되고, 다른 하나는 p형 도펀트로 도핑된 반도체 광전 집적회로
9 9
청구항 7에 있어서, 상기 광학 활성층은 다중 양자 우물층으로 형성된 반도체 광전 집적회로
10 10
청구항 7에 있어서, 상기 광학 활성층은 진성 상태(intrinsic state)인 반도체 광전 집적회로
11 11
청구항 1에 있어서, 상기 기판 상에 복수의 상기 광도파로들이 배치되고, 상기 광도파로들 상에 복수의 광 격자들이 각각 배치되고, 상기 광 격자들 상에 복수의 상기 광 능동 소자들이 각각 배치되되, 하나의 입력로 및 상기 광도파로들의 입력단들과 각각 연결된 복수의 출력로들을 포함하는 디멀티플렉서부; 및 하나의 출력로 및 상기 광도파로들의 출력단들과 각각 연결된 복수의 입력로들을 포함하는 멀티플렉서부를 더 포함하는 반도체 광전 집적회로
12 12
기판 상에 광도파로 및 상기 광도파로 상의 광 격자를 형성하는 단계; 상기 광도파로 로부터 입력된 광신호를 변조하는 광 능동 소자를 형성하는 단계; 및 광 능동 소자를 상기 광 격자 상에 배치시키는 단계를 포함하는 반도체 광전 집적회로의 형성 방법
13 13
청구항 12에 있어서, 상기 광 능동 소자를 상기 광 격자 상에 배치시키는 단계는, 상기 광 능동 소자의 일 면을 활성화시키는 단계; 상기 광도파로 및 광 격자의 표면을 포함하는 상기 기판의 상면을 활성화시키는 단계; 및 상기 광 능동 소자의 활성화된 면 및 상기 기판의 활성화된 면을 기판접합(wafer bonding) 시키는 단계를 포함하는 반도체 광전 집적회로의 형성 방법
14 14
청구항 12에 있어서, 상기 광 능동 소자를 상기 광 격자 상에 배치시키는 단계는, 상기 광 능동 소자를 칩 기판에 장착시키는 단계; 및 상기 광 능동 소자를 갖는 칩 기판을 칩 본딩 범퍼를 사용하여 상기 기판 상에 플립 칩 본딩(flip-chip bonding)하는 단계를 포함하는 반도체 광전 집적회로의 형성 방법
15 15
청구항 12에 있어서, 상기 광 능동 소자를 형성하는 단계는, 제1 반사층 상에 광학 활성층을 형성하는 단계; 상기 광학 활성층 상에 상기 제1 반사층에 비하여 높은 반사율을 갖는 제2 반사층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 광 능동 소자를 상기 광 격자 상에 배치시키는 단계는, 상기 광 격자 상에 상기 제1 반사층, 상기 광학 활성층 및 상기 제2 반사층이 차례로 적층되도록 배치시키는 단계를 포함하는 반도체 광전 집적회로의 형성 방법
16 16
청구항 15에 있어서, 상기 제1 반사층, 광학 활성층 및 제2 반사층은 3-5족 화합물 반도체로 형성하는 반도체 광전 집적회로의 형성 방법
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 제1 반사층 및 제2 반사층 중에서 어느 하나는 n형 도펀트로 도핑시키고, 다른 하나는 p형 도펀트로 도핑시키는 반도체 광전 집적회로의 형성 방법
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1 US2009154868 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC