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5×1015/cm3 ~ 2×1016/cm3의 농도로 도핑된 전자수집층을 포함하는 수광소자; 및상기 수광소자와 연결되며, 트렌치 게이트가 수직형으로 구성되고, 상기 게이트의 실효산화막 두께가 120Å이상인 전달 트랜지스터를 각 픽셀에 포함하는 CMOS 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 수광소자는,복수의 감광파장에 따라 상기 전자수집층의 수직깊이가 조절되는 것인 CMOS 이미지 센서
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제2항에 있어서, 상기 수직깊이는,상기 감광파장이 블루(Blue) 파장인 경우 0
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제1항에 있어서, 상기 수광소자는,상기 전자수집층의 하부에 위치하며, 도핑농도가 5×1015/cm3 ~ 2×1016/cm3인 에피층을 더 포함하는 CMOS 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 각 픽셀은,상기 수광소자에 대한 선택신호에 따라 구동되는 선택 트랜지스터;상기 선택신호 이후에 전달되는 리셋신호에 따라 구동되는 리셋 트랜지스터; 및상기 리셋신호 이후에 전달되는 구동신호에 따라 상기 수광소자에 의해 감지된 전기신호를 출력하는 구동 트랜지스터를 더 포함하되,상기 선택 트랜지스터, 상기 리셋 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터의 게이트는 각각 실효산화막 두께가 120Å이상인 것인 CMOS 이미지 센서
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제5항에 있어서, 상기 전달 트랜지스터, 상기 선택 트랜지스터, 상기 리셋 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터 중 적어도 하나는,문턱전압이 0 ~ 0
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제5항에 있어서, 상기 전달 트랜지스터와 상기 구동 트랜지스터는,금속배선으로 구성되는 부유금속층으로 연결되는 것인 CMOS 이미지 센서
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제5항에 있어서, 상기 전달 트랜지스터와 상기 구동 트랜지스터는,확산층으로 연결되며, 상기 확산층의 하부바닥층은 5×1015/cm3 ~ 2×1016/cm3저농도로 도핑되는 것인 CMOS 이미지 센서
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9
제1항에 있어서, 상기 수광소자는,150~200Å의 SiGe 또는 SiGeC의 박막 에피층 또는 박막 폴리층으로 구성되는 상부표면층을 더 포함하는 것인 CMOS 이미지 센서
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10
제9항에 있어서, 상기 수광소자는,상기 상부표면층에 붕소가 5×1018/cm3 ~ 2×1019/cm3로 도핑되는 것인 CMOS 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 트렌치 게이트는,상기 전자수집층과 0
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반도체 기판상에 에피층을 형성하는 단계;상기 에피층에 수직 구조의 트렌치 게이트를 형성하는 단계;상기 에피층에 이온주입을 통해, 상기 트렌치 게이트와 이격되며, 5×1015/cm3 ~ 2×1016/cm3의 농도로 도핑된 전자수집층을 형성하는 단계;상기 게이트의 실효산화막 두께가 120Å이상인 전달 트랜지스터와 구동 트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 전달 트랜지스터와 상기 구동 트랜지스터를 금속배선으로 연결하는 부유금속층을 형성하는 단계를 포함하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 전자수집층을 형성하는 단계는,감광파장에 맞도록 수직깊이를 조절하여 상기 전자수집층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 전자수집층이 위치한 하단의 상기 에피층을 5×1015/cm3 ~ 2×1016/cm3이하의 농도로 도핑하는 단계를 더 포함하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 기설정된 간격은,0
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제12항에 있어서, 상기 전자수집층 위의 상부표면층으로 150~200Å의 SiGe 또는 SiGeC의 박막 에피층 또는 박막 폴리층을 구성하는 단계를 더 포함하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 상부표면층에 붕소를 5×1018/cm3 ~ 2×1019/cm3로 도핑하는 단계를 더 포함하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
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반도체 기판상에 에피층을 형성하는 단계;상기 에피층에 수직 구조의 트렌치 게이트를 형성하는 단계;상기 에피층에 이온주입을 통해 상기 트렌치 게이트와 이격된 수광소자의 전자수집층을 형성하는 단계;상기 게이트의 실효산화막 두께가 120Å이상인 전달 트랜지스터와 구동 트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 전달 트랜지스터와 상기 구동 트랜지스터를 연결하는 확산층을 형성하는 단계를 포함하는 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
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제18항에 있어서, 상기 전자수집층을 형성하는 단계는,감광파장에 맞도록 수직깊이를 조절하여 상기 전자수집층을 형성하는 단계;를 포함하는 것인 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
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제18항에 있어서, 상기 확산층을 형성하는 단계에서는,상기 확산층의 하부바닥층이 5×1015/cm3 ~ 2×1016/cm3의 도핑농도를 갖도록 하는 것인 CMOS 이미지 센서의 제조 방법
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