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광신호를 전기적 신호로 변환시키는 수광 소자

  • 기술번호 : KST2015093536
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광신호를 전기적 신호로 변환시키는 수광 소자를 제공한다. 이 수광 소자는 차례로 적층된 복수의 반도체층들 및 반도체층들내에 각각 형성된 광전변환부들을 포함한다. 광전변환부들은 서로 다른 분광 감도를 가진다. 인접한 반도체층들 사이에 버퍼층이 배치된다. 버퍼층은 인접한 반도체층들간 스트레를 완화시킨다. 이 수광 소자는 외부광에 혼합된 서로 다른 파장을 가는 서브 광들의 강도들을 검출할 수 있으며, 또한, 버퍼층으로 인하여 반도체층들간의 스트레스를 완화시켜 우수한 특성의 수광 소자를 구현할 수 있다.
Int. CL H01L 31/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070111912 (2007.11.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0927661-0000 (2009.11.12)
공개번호/일자 10-2009-0046015 (2009.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20091120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.05)
심사청구항수 15

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서동우 대한민국 대전 유성구
2 김경옥 대한민국 서울 강남구
3 김상훈 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0791850-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.10.15 수리 (Accepted) 9-1-2008-0068443-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0179791-98
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.06.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0364315-27
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0364316-73
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 등록결정서
Decision to grant		 2009.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0443963-15
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 차례로 적층된 복수의 반도체층들; 상기 복수의 반도체층들 내에 각각 형성되고 서로 다른 분광감도를 갖는 복수의 광전변환부들; 상기 복수의 광전변환부들에 각각 접속된 복수의 검출기들과, 연산부를 포함하는 신호검출회로; 및 인접한 상기 반도체층들 사이에 각각 배치된 버퍼층들을 포함하되, 상기 각 버퍼층은 상기 인접한 반도체층들간의 스트레스를 완화시키고, 서로 다른 파장을 갖는 복수의 서브 광들을 포함하는 외부광이 상기 광전변환부들에 입사되고, 상기 검출기들은 상기 광전변환부들의 각각에 흡수된 광의 강도들을 각각 전기적 신호로 추출하고, 상기 연산부는 상기 검출기들에 의해 추출된 신호들, 상기 반도체층들의 파장에 따른 흡수 계수들, 및 상기 반도체층들의 두께들로부터 상기 서브 광들의 강도들을 각각 산출하는 수광 소자
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 반도체층들 중에서 최하층의 반도체층은 제1 반도체로 형성되고, 최상층의 반도체층은 제2 반도체로 형성되며, 상기 최상층의 반도체층 및 상기 최하층의 반도체층 사이에 개재된 반도체층은 상기 제1 반도체 및 상기 제2 반도체를 포함하는 헤테로 반도체(hetero-semiconductor)로 형성된 수광 소자
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 최하층의 반도체층은 실리콘으로 형성되고, 상기 최상층의 반도체층은 게르마늄으로 형성되고, 상기 개재된 반도체층은 실리콘-게르마늄으로 형성된 수광 소자
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 개재된 반도체층은 전체에 걸쳐 균일한 게르마늄 농도를 갖는 수광 소자
5 5
청구항 3에 있어서, 상기 각 버퍼층은 실리콘-게르마늄으로 형성되고, 상기 각 버퍼층의 게르마늄 농도는 상기 각 버퍼층의 하부면으로부터 높아질수록 점진적으로 증가되는 수광 소자
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 각 버퍼층의 하부면의 게르마늄 농도는 상기 각 버퍼층 바로 아래의 반도체층의 게르마늄 농도와 동일하고, 상기 각 버퍼층의 상부면의 게르마늄 농도는 상기 각 버퍼층 바로 위의 반도체층의 게르마늄 농도와 동일한 수광 소자
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 각 광전변환부는 상기 각 반도체층 내에 형성된 N 도핑된 영역 및 P 도핑된 영역을 포함하는 수광 소자
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 각 광전변환부는 상기 N 도핑된 영역 및 P 도핑된 영역 사이에 개재된 진성 영역(intrinsic region)을 더 포함하는 수광 소자
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 반도체층들 중에서 최하층의 반도체층은 제1 반도체로 형성되고, 최상층의 반도체층은 제2 반도체로 형성되며, 상기 최상층의 반도체층 및 상기 최하층의 반도체층 사이에 개재된 복수의 반도체층의 각각은 상기 제1 반도체 및 상기 제2 반도체를 포함하는 헤테로 반도체(hetero-semiconductor)로 형성되고, 상기 개재된 반도체층들은 서로 다른 상기 제2 반도체의 농도를 갖는 수광 소자
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 최하층의 반도체층은 실리콘으로 형성되고, 상기 최상층의 반도체층은 게르마늄으로 형성되고, 상기 개재된 반도체층들은 실리콘-게르마늄으로 형성되고, 상기 각 개재된 반도체층의 게르마늄 농도는 균일하고, 상기 개재된 반도체층들 중에서 상대적으로 상기 최하층의 반도체층에 가까운 것의 게르마늄 농도는 상대적으로 상기 최상층의 반도체층에 가까운 것의 게르마늄 농도에 비하여 적은 수광 소자
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
청구항 1에 있어서, 상기 복수의 서브 광들 중에서 최장 파장을 갖는 서브 광은 상기 광전변환부들 중에서 최상층의 광전변환부에 흡수되고, 상기 복수의 서브 광들 중에서 상기 최장 파장의 서브 광 보다 짧은 서브 광은 상기 최상층의 광전변환부 및 상기 최상층의 광전변환부 바로 아래의 광전변환부에 흡수되는 수광 소자
14 14
기판 상에 차례로 적층된 복수의 반도체층들; 상기 복수의 반도체층들 내에 각각 형성된 복수의 광전변환부들; 상기 복수의 광전변환부들에 각각 접속된 복수의 검출기들과, 연산부를 포함하는 신호검출회로; 및 상기 인접한 상기 반도체층들 사이에 각각 배치된 버퍼층들을 포함하되, 상기 각 버퍼층은 상기 인접한 반도체층들간의 스트레스를 완화시키고, 상기 반도체층들은 서로 다른 에너지 밴드 갭(energy band gap)을 갖고, 서로 다른 파장을 갖는 복수의 서브 광들을 포함하는 외부광이 상기 광전변환부들에 입사되고, 상기 검출기들은 상기 광전변환부들의 각각에 흡수된 광의 강도들을 각각 전기적 신호로 추출하고, 상기 연산부는 상기 검출기들에 의해 추출된 신호들, 상기 반도체층들의 파장에 따른 흡수 계수들, 및 상기 반도체층들의 두께들로부터 상기 서브 광들의 강도들을 각각 산출하는 수광 소자
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 기판으로부터 높아질수록 상기 복수의 반도체층들의 에너지 밴드 갭들이 감소되는 수광 소자
16 16
청구항 14에 있어서, 상기 반도체층들 중에서 최하층의 반도체층은 실리콘으로 형성되고, 상기 반도체층들 중에서 최상층의 반도체층은 게르마늄으로 형성되고, 상기 최하층의 반도체층과 상기 최상층의 반도체층 사이에 개재된 반도체층은 실리콘-게르마늄으로 형성된 수광 소자
17 17
청구항 14에 있어서, 상기 각 광전변환부는 상기 각 반도체층내에 배치된 N 도핑된 영역, P 도핑된 영역, 및 상기 N 및 P 도핑된 영역들 사이에 개재된 진성 영역을 포함하는 수광 소자
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1 US2010270589 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2009061045 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC