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이종접합바이폴라트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015093544
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 방법은 에미터, 베이스, 컬렉터 형성과 소자격리후 플라즈마 화학증착법을 이용한 저온 절연막을 형성하는 대신 고분자 화합물질인 폴리이미드를 이용한다.폴리이미드는 큰 점도(viscosity)를 지니고 있으므로 이를 기판의 표면에 도포함으로써 단차의 커짐을 극복하고 평탄한 표면(planarized surface)을 얻게 되며, 도포된 폴리이미드를 경화 열처리(curing)하면 이미드화(imidization)가 일어나 새로운 물질로 변화되는데, 이 변태된 물질은 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막 등을 대체하는 양호한 절연특성을 갖는다.
Int. CL H01L 29/06 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019940036374 (1994.12.23)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0149433-0000 (1998.06.05)
공개번호/일자 10-1996-0026918 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자 (19981001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성우 대한민국 대전직할시중구
2 박성호 대한민국 대전직할시유성구
3 박문평 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164079-68
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164080-15
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.23 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164081-50
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164082-06
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164083-41
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091138-67
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1998.04.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164085-32
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.04.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164084-97
9 의견서
Written Opinion		 1998.05.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164087-23
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.05.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0164086-88
11 등록사정서
Decision to grant		 1998.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0091139-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법에 있어서, 소자격리를 위한 기판 식각 공정이 수행된 후에, 폴리이미드(11)를 3mm 정도의 두께로 도포하고 소프트 베이크를 수행한 후, 저온 경화를 열처리를 수행하는 공정과; 상기 폴리이미드(11) 위에 절연막(12)을 1000Å 정도의 두께로 증착하는 공정과; 상기 절연막(12)에 금속 패드의 연결을 위한 비어-오프닝 패턴을 형성한 후, 상기 절연막(12)을 식각 마이크로서 사용하여 상기 폴리이미드(11)를 윗 부분은 등방성 형태이고, 아래 부분은 이방성 형태로 식각하는 공정과; 상기 절연막(12)을 제거한 후, 패드 금속(13)을 증착하는 공정을 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 저온 경화열처리는 250℃에서, 10시간 동안 수행되는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

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제 1 항에 있어서, 상기 폴리이미드 식각 공정은, 자계 인가형 반응성 이온식각(MERIE)에 의해 산호플라즈마를 이용하여 1단계로 입구가 넓은 등방성 형상으로 상기 폴리이미드(1)를 식각하는 공정과, 자계 인가형 반응성 이온식각(MERIE)에 의해 산소플라즈마를 이용하여 2단계로 입구가 좁은 이방성 형상으로 상기 등방성 식각된 영역의 폴리이미드(11)를 식각하는 공정을 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 절연막(12)의 제거 공정은 MERIE에 의한 C2F6 플라즈마를 이용하여 수행되는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.