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광게이트를갖는진공트랜지스터및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015093564
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 진공 또는 대기에서 인접한 두개의 전극 사이에 전계를 인가하여 전자를 방출시키는 유도방출법과 물질의 표면에 임계에너지 이상의 광을 조사하여 전자를 방출시키는 광전효과를 이용한 진공 트랜지스터에 관한 것으로, 광전효과를 이용하는 트랜지스터에 있어서, 소정파장의 광을 방사하는 광소스와, 접지와 연결되고 상기 광소스로부터 조사는 광에 의해 전자를 빈 공간으로 방출하는 방출전과, 구동전원에 의해 전위가 조절되며 상기 방출전극과 격리되고 상기 방출전극으로부터 방출되는 전자를 받아들이는 수전전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 트랜지스터 및 그 제조방법이다.
Int. CL H01L 21/331 (2006.01)
CPC H01J 1/34(2013.01) H01J 1/34(2013.01) H01J 1/34(2013.01)
출원번호/일자 1019920025030 (1992.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0114273-0000 (1997.04.16)
공개번호/일자 10-1994-0016606 (1994.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019970000963 (19970121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성원 대한민국 대전직할시유성구
2 강진영 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135971-21
2 특허출원서
Patent Application		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135967-48
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135969-39
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135968-94
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135970-86
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1993.10.16 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135972-77
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135973-12
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1996.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045227-30
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1996.07.01 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135974-68
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1996.07.30 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135975-14
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1996.08.30 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135977-05
12 의견서
Written Opinion		 1996.08.30 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135976-59
13 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045228-86
14 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.06 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135978-40
15 등록사정서
Decision to grant		 1997.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045229-21
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광신호가 게이트전극으로부터 방사되는 광게이트를 구비한 진공 트랜지스터에 있어서, 실리콘기판(9)과, 상기 실리콘기판(9)상에 도포되어 있되 에칭공정에 의해 오목부분(a recess portion)을 갖는 절연막(10)과 상기 절연막(10)의 오목부분에 의해 서로 형성되되, 그중 하나는 상기 광신호에 의해서 전자를 방출하는 전자방출전극이고, 다른 하나는 상기 전자방출전극으로부터 방출된 전자를 수집하는 전자수집전극인 두전극(11,12)과 상기 전자방출전극(11) 표면에 조사하기 위한 위치에서 상기 광신호를 방사하고 상기 광게이트의 기능을 수행하는 광원(13)으로 구성되고, 상기 전자방출전극(11)은 접지에 접속되어 있고 그리고 상기 전자수집전극(12)은 전원에 접속되어서, 전류의 량이 상기 광원(13)에서 제공된 광신호의 세기에 따라 조절되는 것을 특지으로 하는 진공 트랜지스터

2 2

제1항에 있어서, 상기 오목부분에 의해 분리된 상기 전자방출전극과 전자수집전극의 대향하는 끝부분이 각각 팁(tip)형상을 갖고 서로 전기적으로 격리되어 있는 것을 특징으로 진공 트랜지스터

3 3

제1항에 있어서, 상기 광원은 레이저 또는 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 진공 트랜지스터

4 4

광신호가 게이트전극으로부터 방사되는 광게이트를 구비한 진공 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 실리콘기판(9)을 준비하는 공정과, 상기 실리콘기판(9)상에 절연막(10)을 도포하는 공정과, 상기 절연막(10)상에 전극패턴을 형성하여 소오스전극인 전자방출전극(11)과 드레인전극인 전자수집전극(12)을 형성하는 공정과, 상기 두 전극(11,12)사이에 있는 상기 절연막(10)을 식각하여 오목부분을 형성하고 그리고 이 오목부분에 의해 상기 소오스 및 드레인 전극이 공간적으로 격리되도록 하는 공정과, 상기 게이트 전극으로 기능하도록 상기 전자방출전극표면에 광신호를 조사하기 위한 위치에 광원(13)을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 트랜지스터의 제조방법

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1 JP02759049 JP 일본 FAMILY
2 JP07037545 JP 일본 FAMILY
3 US05389796 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2759049 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP7037545 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH0737545 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5389796 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.