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연속광인 캐리어 신호를 입력 받고 변조된 광신호를 출력하는 반사형 파장무의존 광원에 있어서:입력되는 광신호가 이득을 가지도록 증폭 동작을 수행하는 반도체 광 증폭기;상기 반도체 광 증폭기와 연결되고 변조된 광신호를 발생시키는 광 변조기;상기 광 변조기에서 발생된 상기 변조된 광신호를 반사하는 고 반사 막; 및상기 고 반사 막, 상기 광 변조기, 그리고 상기 반도체 광 증폭기에 직렬 연결되는 브래그 반사경을 포함하되,상기 브래그 반사경과 상기 고 반사 막에 의해 브래그 공진기가 형성되며,상기 반도체 광 증폭기는 상기 광 변조기와 상기 브래그 반사경 사이에 위치하고, 상기 광 변조기는 상기 고 반사 막과 상기 반도체 광 증폭기 사이에 위치하는 반사형 파장무의존 광원
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제 1 항에 있어서,상기 연속광인 캐리어 신호는 상기 브래그 반사경, 상기 반도체 광 증폭기, 상기 광 변조기를 통과하고, 상기 고 반사 막에서 반사되고, 상기 광 변조기, 상기 반도체 광 증폭기, 상기 브래그 반사경을 통과하는 광 경로를 가지는 반사형 파장무의존 광원
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제 1 항에 있어서,상기 브래그 반사경, 상기 반도체 광 증폭기, 상기 광 변조기, 그리고 상기 고 반사 막은 반도체 칩에 단일 집적되는 반사형 파장무의존 광원
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제 3 항에 있어서,상기 브래그 반사경, 상기 반도체 광 증폭기, 그리고 상기 광 변조기는 하부 및 상부 클래드 층 사이에 위치한 광 도파로 층을 포함하고;상기 광 도파로 층은 상기 브래그 반사경의 수동 도파로 층, 상기 반도체 광 증폭기의 이득 층, 그리고 상기 광 변조기의 흡수 층을 갖는 반사형 파장무의존 광원
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제 4 항에 있어서, 상기 브래그 반사경은 상기 수동 도파로 층의 하부 또는 상부 클래드 층 에 형성되는 브래그 회절 격자들을 포함하는 반사형 파장무의존 광원
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제 5 항에 있어서, 상기 광 변조기는 전계 흡수형 광 변조기인 반사형 파장무의존 광원
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제 6 항에 있어서,상기 브래그 회절 격자들의 브래그 파장은 상기 반도체 광 증폭기의 이득 곡선 내에 있고, 통신 파장 대역 밖에 있으며, 상기 전계 흡수형 광 변조기의 흡수 곡선 밖에 위치하는 반사형 파장무의존 광원
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제 5 항에 있어서,상기 광 변조기는 마흐젠더 또는 마이켈슨 간섭계형 광 변조기인 반사형 파장무의존 광원
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제 8 항에 있어서,상기 브래그 회절 격자들의 브래그 파장은 상기 반도체 광 증폭기의 이득 곡선 내에 있고, 통신 파장 대역 밖에 있으며, 상기 반도체 광 증폭기의 이득 곡선 중심 파장에서 장파장 또는 단파장에 위치하는 반사형 파장무의존 광원
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제 3 항에 있어서,상기 브래그 반사경의 입력단에 연결되는 무반사막을 더 포함하는 반사형 파장무의존 광원
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 광 증폭기, 상기 광 변조기, 그리고 상기 고 반사 막은 반도체 칩에 단일 집적되고;상기 브래그 반사경은 상기 반도체 칩 외부에 형성되는 반사형 파장무의존 광원
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제 11 항에 있어서, 상기 브래그 반사경은 FBG(fiber bragg gratin), 폴리머 또는 실리카 도파로 상에 형성되는 반사형 파장무의존 광원
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제 12 항에 있어서, 상기 브래그 반사경은 상기 FBG(fiber bragg gratin), 상기 폴리머 또는 상기 실리카 도파로 내에 형성되는 브래그 회절 격자들을 포함하는 반사형 파장무의존 광원
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제 11 항에 있어서,상기 반도체 광 증폭기와 상기 브래그 반사경 사이에 무반사막을 더 포함하는 반사형 파장무의존 광원
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제 1 항에 있어서, 상기 브래그 반사경과 상기 고 반사 막 사이에 위상 천이기를 더 포함하는 반사형 파장무의존 광원
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