실리콘 기판(1)위에 감광제 존재하에서 광표백된 도파층과 동일한 물질의 하부 완충층(2)을 형성하고, 그 위에 소정의 광표백 안된 채널 도파로(5)가 포함된 감광제 존재하에서 광표백된 클래딩 영역(3)을 형성하고, 이 위에 감광제 존재하에서 광표백된 상부 완충층(4)이 형성되는 것을 특징으로 하는 단일 전고분자계 광도파로 소자의 구조

실리콘 기판(1)위에 소정의 광학 비선형 고분자 물질 용액을 떨어뜨려 감광제가 포함된 비선형 고분자 박막(4)을 형성하는 공정(a)과, 상기 형성된 비선형 고분자 박막(4)을 자외선에 쪼여 광표백하는 공정(b)과, 상기 광표백이 완전히 된 후 같은 고분자용액을 떨어뜨려 광표백된 완충층(2)을 형성하는 공정(c)과, 상기 비선형 고분자 박막(4)위에 소정의 도파로를 형성하기 위하여 설계된 마스크를 덮고, 이 위를 자외선에 의해서 소정의 채널 도파로 이외의 부분을 광표백하여 광표백 안된 채널 도파로(3)가 포함되는 광표백된 클래딩 영역(3)을 형성하는 공정(d)과, 상기 공정(d)후 열처리를 한 후 감광제가 포함된 비선형 고분자 박막(4)을 형성하는 공정(e)과, 상기 공정(e)후에 상기 감광제가 포함된 비선형 고분자 박막(4)을 광표백한 뒤 열처리를 하는 공정(f)을 포함하는 단일 전고분자계 광도파로 소자의 제조방법