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반도체다층구조의상호혼합방법

  • 기술번호 : KST2015093651
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL H01L 21/22 (2006.01)
CPC H01L 21/02507(2013.01) H01L 21/02507(2013.01) H01L 21/02507(2013.01)
출원번호/일자 1019910008668 (1991.05.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0085931-0000 (1995.06.19)
공개번호/일자 10-1992-0022393 (1992.12.19) 문서열기
공고번호/일자 1019950002179 (19950314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.05.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박효훈 대한민국 대전직할시서구
2 박경호 대한민국 대전직할시중구
3 박성주 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1991.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1991-0049781-78
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1991-0049783-69
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1991-0049782-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0019190-40
5 의견서
Written Opinion		 1994.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0049784-15
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.10.28 수리 (Accepted) 1-1-1991-0049785-50
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0019191-96
8 등록사정서
Decision to grant		 1995.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0019192-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판(1)상에 다층구조의 에피택셜층(2)을 성장시키는 단계와, 상기 다층구조의 에피택셜층(2)상에 플루오르화물 박막(3)을 증착시키는 단계와, 상기 증착된 플루오르화물 박막(3)상의 원하는 영역에 전자 빔을 조사하여 소정의 영역을 금속막(4)으로 전환시키는 단계와, 상기 전환된 금속막(4)을 보호하기 위해 보호막(5)을 증착시키는 단계와, 상기 금속막(4)을 확산원으로 사용한 열처리 공정을 이용하여 상기 금속막(4)으로부터 금속 불순물 원소를 반도체 기판(1)내로 확산시켜서 상기 금속 불순물 원소가 확산된 영역의 다층구조는 상호혼합되고 상기 플루오르화물 박막(3)으로 보호된 부분의 다층구조는 그대로 남게 되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 다층구조의 상호혼합 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 반도체 에피택셜층(2)의 재료로 III-V족 화합물 반도체를 사용하되 상기 반도체 에피택셜층(2)의 구조가 초격자 양자우물 구조임을 특징으로 하는 반도체 다층구조의 상호혼합 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상호혼합을 위해 로열처리 할 경우 확산온도는 400~900℃ 확산시간은 10분~10시간으로 하되, 확산시간은 다층구조의 각 층의 두께와 상기 에피택셜층(2)의 전체 두께에 비례하고 확산온도에 반비례함을 특징으로 하는 반도체 다층구조의 상호혼합 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 가속에너지 1~500eV이고, 전자도스가 0

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 금속막(4)의 산화 및 변질을 방지하기 위한 보호막(5)으로 플루오르화물을 사용함을 특징으로 하는 반도체 다층구조의 상호혼합 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.