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이종접합소자를 이용한 집적회로에서 금속배선의교차점의기생커패시턴스를감소시키는방법

  • 기술번호 : KST2015093672
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종접합소자를 이용한 집적회로의 공정중 급속배선의 교차점에서 발생하는 기생 커패시턴스를 감소시키는 방법에 관한 것으로서, 리프트 오프(Lift Off)공정에 의해 배선된 1차 금속막 상부에 2차 플라즈마 실리콘 질화막을 형성하는 제1과정과, 상기 2차 플라즈마 실리콘 질화막의 전면에 감광막을 도포하는 제2과정과, 상기 2차 플라즈마 실리콘 질화막의 절연막에 산소이온을 주입하여 무정형 질화실리콘과 무정형 산화실리콘의 혼합물을 형성하는 제3과정 및 리프트 오프 공정에 의해 2차 금속막을 배선하는 제4과정을 포함하여 이루어지며, 산소이온주입에 의해 2차 플라즈마 실리콘 절연막의 유전율을 감소시킴으로써 1차 금속배선과 2차 금속배선의 교차점에서 발생하는 기생 커패시턴스를 줄이고, 이에 따라 집적회로의 밴드폭을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/3205 (2006.01)
CPC H01L 21/8222(2013.01) H01L 21/8222(2013.01) H01L 21/8222(2013.01)
출원번호/일자 1019950053681 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0169832-0000 (1998.10.13)
공개번호/일자 10-1997-0052942 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자 (19990218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박문평 대한민국 대전광역시 유성구
2 이태우 대한민국 대전광역시 서구
3 송기문 대한민국 서울특별시 서초구
4 박성호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207506-40
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207505-05
3 특허출원서
Patent Application		 1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207504-59
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.05.09 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207507-96
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207508-31
6 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109567-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

이종접합 바이폴라 트랜지스터를 이용한 집적회로 공정에 있어서, 리프트 오프(Lift Off)공정에 의해 배선된 1차 금속막 상부에 2차 플라즈마 실리콘 질화막을 증착하는 제1과정과; 상기 2차 플라즈마 실리콘 질화막의 전면에 감광막을 도포하는 제2과정과; 상기 2차 플라즈마 실리콘 질화막에 산소이온을 주입하여 무정형 질화실리콘과 무정형 산화실리콘의 혼합물을 형성하는 제3과정 및 리프트 오프 공정에 의해 2차 금속막을 배선하는 제4과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합소자를 이용한 집적회로에서 금속배선의 교차점의 기생 커패시턴스를 감소시키는 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 제3과정의 산소이온의 주입시, 상기 산소이온의 테일(tail)영역이 2차 플라즈마 실리콘 질화막과 상기 1차 금속막의 경계면에 오도록 가속에너지를 조절하는 것을 특징으로 하는 이종접합소자를 이용한 집적회로에서 금속배선의 교차점의 기생 커패시턴스를 감소시키는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.