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고전류이득이종접합바이폴라트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015093720
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고 전류이득을 요구하는 광 수신기와 광전 집적회로 등의 입력버퍼, 및 고집적 회로의 출력단에 매우 유용하게 적용될 수 있는 본 발명은 에미터 주입효율을 극대화 할 수 있는 큰 에너지 갭의 GaInP를 n형 에미터로 하고, 높은 소수 운반자 농도, 낮은 표면 재결합 전류, 작은 접촉저항 및 작은 에너지 갭의 Ge을 p형 베이스로 하며, GaAs를 n형 콜렉터로 조합하여 베이스에서 에미터로의 역 정공주입을 억제시키고, 고 전류이득(super current gain)을 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 21/328 (2006.01)
CPC H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01)
출원번호/일자 1019940019490 (1994.08.08)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0131545-0000 (1997.12.02)
공개번호/일자 10-1996-0009061 (1996.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (19980414) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.08.08)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성우 대한민국 대전직할시중구
2 박성호 대한민국 대전직할시유성구
3 박문평 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 통지서
Notification		 0000.00.00 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000513-28
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.08.08 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088547-63
3 특허출원서
Patent Application		 1994.08.08 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088545-72
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.08.08 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088546-17
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088548-19
6 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088549-54
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088550-01
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0049856-01
9 이의신청서
Request for Opposition		 1998.10.14 수리 (Accepted) 2-1-1994-0000524-63
10 이의신청서
Request for Opposition		 1998.10.14 수리 (Accepted) 2-1-1994-0000525-19
11 이의신청번호및합의체심사관지정통지서
Opposition Number and Notice of Designated Collegial Examiner		 1998.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000523-85
12 이의신청예고등록의뢰서
Request for Previous Registration of Opposition		 1998.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000521-94
13 통지서
Notification		 1998.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000522-39
14 이의신청보정서
Amendment of Opposition		 1998.11.11 수리 (Accepted) 2-1-1994-0000520-81
15 이의신청예고등록의뢰서
Request for Previous Registration of Opposition		 1998.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000519-02
16 이의신청번호및합의체심사관지정통지서
Opposition Number and Notice of Designated Collegial Examiner		 1998.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000518-56
17 통지서
Notification		 1998.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000517-11
18 이의답변서
Written Answer to Opposition		 1998.12.19 수리 (Accepted) 2-1-1994-0000515-52
19 대리인변경신고서
Report on Change of Agent		 1998.12.19 수리 (Accepted) 2-1-1994-0000516-08
20 통지서
Notification		 1998.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1994-0000514-74
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0008169-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2008-5179273-54
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
30 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2010-5004343-52
31 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
32 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
33 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
34 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
35 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.08 수리 (Accepted) 4-1-2013-5068627-16
36 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
37 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
38 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5004556-53
39 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
40 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5129729-08
41 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2016-5186759-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연성 GaAs 기판 위에 제1도전형의 고농도 GaAs 부콜렉터층, 제1도전형의 저농도 콜렉트층, 제2도전형의 베이스층 및 제1도전형의 에미터층들이 순차적으로 적층된 에피구조를 다수의 메사식각에 의해 에미터, 베이스, 콜렉터로 형성하고, 각각의 하나의 오믹접합에 의해 각 전극들을 형성하며, 소자격리 및 전극절연을 통하여 금속배선하는 공정으로 이루어진 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 에미터는 에미터의 주입효율을 극대화 시킬 수 있도록 큰 에너지 갭을 갖는 GayIn1-yP로 이루어지고, 상기 베이스는 높은 소수운반자 농도와 낮은 재결합 전류를 갖는 작은 에너지 갭의 Ge로 이루어져 GayIn1-yP에미터와 Ge 베이스의 에너지 갭 차이를 이용하여 전류이득의 증가를 얻고, 화합물 반도체 에미터와 4족 원소 반도체 베이스간의 거의 완전한 격자정합으로 이종접합된 GayIn1-yP 에미터/Ge 베이스/GaAs 콜렉터로 이루어진 것을 특징으로 하는 고 전류이득 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 부콜렉터층은 5000Å의 두께와 5×1018/㎤의 Si도핑농도로 형성된 n+ GaAs로 이루어지고, 상기 콜렉터층은 약4000Å 정도의 두께와 2×1016/㎤의 Si 도핑농도로 형성된 n GaAs로 이루어진 것을 특징으로 하는 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 Ge 베이스는 약1000Å의 두께와 1×1019/㎤의 불순물 농도로 붕소(B)가 도핑된 것을 특징으로 하는 고 전류이득 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 GayIn1-yP 에미터는 2000Å의 두께와 5×1017/㎤의 불순물 농도로 실리콘(Si)이 도핑된 것을 특징으로 하는 고 전류이득 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

5 5

제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 GayIn1-yP 에미터의 조성비, y = 0

6 6

제1항에 있어서, 상기 에미터의 접촉저항을 감소시키기 위하여, 에미터 상부에 이중층의 InzGa1-zAs로 된 에미터 보호층들을 순차적으로 부가 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

7 7

제6항에 있어서, 상기 에미터 보호층들의 조성비, Z=0∼0

8 8

제1항에 있어서, 상기 오믹접합에 의해 각 전극들을 형성할 때, 에미터 오믹접합 금속으로 Ti/Pt/Au를 베이스 오믹접합 금속으로 TiSi2를, 콜렉터 오믹접합 금속으로는 AuGe/Ni/Au를 각각 사용함을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

9 9

제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 각 전극들 형성후, 400℃의 온도에서 약 10초 동안 단 한번의 급속 열처리(RTA, rapid thermal annealing) 공정을 부가하여 각 전극들의 오믹 접촉저항을 최소화 하는 것을 특징으로 하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.