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T-게이트의형성을위한포토마스크

  • 기술번호 : KST2015093721
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 T자형 게이트를 갖는 전계효과트랜지스터(field effect transistor)의 게이트 전극을 형성하기 위한 본 발명의 포토마스크는 투명한 석영층과, 이 투명한 석영층의 한 표면 위에 형성되어서 T-게이트의 다리 부위의 패턴닝을 위한 주 패턴과, 주 패턴 주위에 배치되어서 T-게이트의 머리 부위의 선폭 변화를 조절하기 위한 한개 이상의 보조 패턴을 포함하는, 주 패턴과 보조 패턴은 불투명막으로 형성되는, 하부의 마스크층(1)과; 하부의 마스크층(1)의 다른 한 표면 위에 형성되고, 투명한 막으로 규칙적으로 형성되는 복수의 위상 격자(phase grating) 패턴들을 갖는 상부의 마스크층(2)으로 구성된다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 1/26(2013.01) G03F 1/26(2013.01) G03F 1/26(2013.01)
출원번호/일자 1019940019491 (1994.08.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0135039-0000 (1998.01.09)
공개번호/일자 10-1996-0008982 (1996.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (19980420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.08.08)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병선 대한민국 대전직할시유성구
2 오용호 대한민국 대전직할시중구
3 유형준 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.08.08 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088551-46
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.08.08 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088553-37
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.08.08 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088552-92
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088554-83
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0088555-28
6 등록사정서
Decision to grant		 1997.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0049859-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

포토리소그래피에 의해 전계효과트랜지스터의 T-게이트를 형성하기 의한 포토마스크의 구조에 있어서; 투명한 석영층과, 상기 투명한 석영층의 한 표면 위에 형성되어서 상기 T-게이트의 다리 부위의 패턴닝을 위한 주 패턴과, 상기 주 패턴 주위에 배치되어서 상기 T-게이트의 머리 부위의 선폭 변화를 조절하기 위한 한개 이상의 보조 패턴을 포함하는, 상기 주 패턴과 상기 보조 패턴은 불투명막으로 형성되는, 하부의 마스크층(1)과; 상기 하부의 마스크층(1)의 다른 한 표면 위에 형성되고, 투명한 막으로 규칙적으로 형성되는 복수의 위상 격자 패턴들을 갖는 상부의 마스크층(2)을 포함하는 것을 특징으로 하는 T-게이트의 형성을 위한 포토마스크

2 2

제1항에 있어서, 상기 상부의 마스크층(2)은 투명한 석영층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 T-게이트의 형성을 위한 포토마스크

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 상부의 마스크층(1)과 상기 하부의 마스크층(2)이 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 T-게이트의 형성을 위한 포토마스크

4 4

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 상부의 마스크층(1)과 상기 하부의 마스크층(2)이 분리되어 형성되는 것을 특징으로 하는 T-게이트의 형성을 위한 포토마스크

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.