| 1 |
1
삭제
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
레이저기화법을 이용한 실리콘박막의 제조 방법에 있어서, 초고진공을 유지하는 반응챔버내에 실리콘기판을 장착시키는 단계; 상기 실리콘기판에 향하도록 상기 반응챔버내에 에르븀타겟과 실리콘타겟의 이중 타겟을 장착시키는 단계; 상기 이중 타겟에 각각 레이저빔을 조사하여 상기 이중 타겟을 기화시키는 단계; 및 상기 실리콘기판을 가열시킨 후, 상기 이중 타겟의 기화후 생성된 플룸내의 에르븀과 실리콘을 이동시켜 상기 실리콘기판상에 에르븀이 도핑된 실리콘박막을 형성하는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 실리콘박막의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 이중 타겟을 기화시키는 단계에서, 상기 에르븀의 도핑농도를 조절하기 위해 상기 이중 타겟 중 상기 에르븀타겟에 조사되는 상기 레이저빔의 세기를 변화시키는 것을 특징으로 하는 실리콘박막의 제조 방법
|
| 8 |
8
제 6 항에 있어서, 상기 이중 타겟을 기화시키는 단계에서, 상기 실리콘박막의 두께를 조절하기 위해 상기 이중 타겟 중 상기 실리콘타겟에 조사되는 상기 레이저빔의 세기 또는 조사시간 중 어느 하나의 조건을 변화시키는 것을 특징으로 하는 실리콘박막의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 6 항에 있어서, 상기 실리콘기판의 가열시, 상기 실리콘기판을 회전시키는 것을 특징으로 하는 실리콘박막의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 6 항에 있어서, 상기 이중 타겟을 장착한 후, 상기 이중 타겟을 각각 회전시키는 것을 특징으로 하는 실리콘박막의 제조 방법
|
| 11 |
11
실리콘나노점의 형성 방법에 있어서, 초고진공 조건하에서 펄스형 레이저 기화법에 의해 실리콘기판상에 에르븀이 도핑된 실리콘박막을 형성하는 단계; 상기 실리콘박막의 표면을 질화반응시켜 다수의 도전형 섬들을 형성하는 단계; 및 상기 도전형 섬들 하부의 상기 실리콘박막을 산소를 이용하여 선택적 식각하여 에르븀이 도핑된 실리콘나노점을 형성하는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 실리콘나노점의 형성 방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서, 상기 실리콘박막을 형성하는 단계는, 에르븀 타겟과 실리콘타겟의 이중타겟에 레이저빔을 각각 조사하여 기화생성물을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘기판을 가열시키면서 회전시켜 상기 기화생성물내의 에르븀과 실리콘을 증착하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘나노점의 형성 방법
|
| 13 |
13
제 11 항에 있어서, 상기 도전형 섬들을 형성하는 단계는, 상기 실리콘박막을 가열하면서 질소기체를 주입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘나노점의 형성 방법
|
| 14 |
14
제 11 항에 있어서, 상기 실리콘박막을 식각하는 단계는, 상기 도전형 섬들을 포함하는 실리콘박막을 가열시키면서 고순도의 산소기체를 유입시키는 단계; 및 상기 도전형 섬들을 마스크로 이용하고 상기 유입된 산소기체를 상기 실리콘박막과 반응시키는 단계 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 실리콘나노점의 형성 방법
|
| 15 |
15
제 11 항에 있어서, 상기 실리콘나노점 형성후, 상기 실리콘나노점을 덮고 있는 상기 도전형 섬들을 제거하는 단계; 및 상기 실리콘나노점을 포함한 실리콘기판을 열처리하는 단계 를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 실리콘나노점의 형성 방법
|
| 16 |
16
제 15 항에 있어서, 상기 도전형 섬들을 제거하는 단계는, 100eV∼200eV의 에너지를 갖는 CF4+ 이온을 주입시켜 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 실리콘나노점의 형성 방법
|
