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이종접합 쌍극자 트랜지스터 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015093873
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 에미터, 베이스 및 컬렉터영역을 평탄화시킴으로써 소자의 집적도를 향상시킬 수 있는 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법이 개시되어 있는 바, 본 발명의 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 제조방법은 반절연성 화합물 반도체기판상에 소자분리영역을 정의하는 단계; 상기 화합물 반도체 기판상에 부컬렉터층과 컬렉터층을 연속적으로 성장시키는 단계; 상기 컬렉터층을 식각하여 진성베이스영역을 정의하는 단계; 상기 컬렉터층의 일측면 및 상부에 제1유전체막을 형성하는 단계; 상기 진성베이스영역을 포함한 컬렉터층상에 베이스층을 형성하는 단계; 상기 진성 베이스영역이 노출되도록 상기 베이스층상에 제2유전체막을 형성하는 단계; 상기 노출된 베이스영역상에 에미터층 및 에미터캡층을 형성하는 단계; 상기 제1유전체막 및 컬렉터층을 식각하여 컬렉터전극용 오픈영역을 형성하는 단계; 상기 컬렉터전극용 오픈영역에 1차 컬렉터전극을 형성하는 단계; 상기 베이스영역중 외부베이스영역이 노출되도록 상기 제2유전체막을 식각하여 베이스전극용 오픈영역을 형성하는 단계; 상기 에미터캡층, 상기 베이스전극용 오픈영역 및 1차 컬렉터 전극상에 에미터전극, 베이스전극 및 2차 컬렉터전극을 동시에 형성하는 단계를 포함한다.이종접합쌍극자소자, 화합물반도체, 평탄화, 이온주입
Int. CL H01L 21/331 (2006.01)
CPC H01L 29/66318(2013.01) H01L 29/66318(2013.01)
출원번호/일자 1020010060457 (2001.09.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0388489-0000 (2003.06.10)
공개번호/일자 10-2003-0027313 (2003.04.07) 문서열기
공고번호/일자 (20030625) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.09.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민병규 대한민국 경기도광명시
2 박성호 대한민국 대전광역시유성구
3 김성일 대한민국 대전광역시서구
4 이경호 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-0251106-88
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.04.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.05.19 수리 (Accepted) 9-1-2003-0020518-56
5 등록결정서
Decision to grant		 2003.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0182460-44
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반절연성 화합물 반도체기판상에 소자분리영역을 정의하는 단계;

상기 화합물 반도체 기판상에 부컬렉터층과 컬렉터층을 연속적으로 성장시키는 단계;

상기 컬렉터층을 식각하여 진성베이스영역을 정의하는 단계;

상기 컬렉터층의 일측면 및 상부에 제1유전체막을 형성하는 단계;

상기 진성베이스영역을 포함한 컬렉터층상에 베이스층을 형성하는 단계;

상기 진성 베이스영역이 노출되도록 상기 베이스층상에 제2유전체막을 형성하는 단계;

상기 노출된 베이스영역상에 에미터층 및 에미터캡층을 형성하는 단계;

상기 제1유전체막 및 컬렉터층을 식각하여 컬렉터전극용 오픈영역을 형성하는 단계;

상기 컬렉터전극용 오픈영역에 1차 컬렉터전극을 형성하는 단계;

상기 베이스영역중 외부베이스영역이 노출되도록 상기 제2유전체막을 식각하여 베이스전극용 오픈영역을 형성하는 단계; 및

상기 에미터캡층, 상기 베이스전극용 오픈영역 및 1차 컬렉터 전극상에 에미터전극, 베이스전극 및 2차 컬렉터전극을 동시에 형성하는 단계

를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 소자분리영역을 정의하는 방법은 화합물 반도체 기판상에 상기 소자분리영역이 노출되도록 마스크를 형성하고, 상기 마스크를 이용하여 기판으로 이온을 주입하여 결정성을 파괴함으로써 절연성의 소자분리영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 진성베이스영역은 상기 컬렉터층을 일정두께만큼 습식 또는 건식식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서,

상기 제1 및 제2유전체막은 패시베이션막으로서의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법

5 5

제 1 항에 있어서,

상기 에미터전극, 베이스 전극 및 컬렉터전극은 내열성 금속막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터 제조방법

6 6

반절연성 화합물 반도체기판상에 형성된 소자분리영역;

소자분리영역을 제외한 상기 화합물 반도체 기판상에 형성된 부컬렉터층;

상기 부컬렉터층상에 형성되고 그의 표면에 단차진 진성베이스영역 및 상기 부컬렉터층의 일부를 노출시키는 컬렉터전극용 오픈영역을 구비한 컬렉터층;

상기 컬렉터전극용 오픈영역이 노출되도록 상기 컬렉터층의 일측면 및 상부에 형성된 제1유전체막;

상기 진성베이스영역 및 나머지 컬렉터층상에 형성된 베이스층;

상기 진성베이스영역이 노출되도록 상기 베이스층상에 형성되고, 외부베이스영역을 노출시키는 베이스전극용 오픈영역을 구비한 제2유전체막;

상기 노출된 진성 베이스영역상에 형성된 에미터층 및 에미터캡층;

상기 컬렉터전극용 오픈영역상에 형성된 1차 컬렉터전극; 및

상기 에미터캡층, 상기 베이스전극용 오프영역 및 1차 컬렉터전극상에 형성된 에미터전극, 베이스전극 및 2차 컬렉터전극

을 포함하는 것을 특징으로 하는 이종접합 쌍극자 트랜지스터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.