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빛을 증폭하는 활성층을 포함한 광 증폭기와, 상기 증폭된 빛의 경로를 제공하는 광 도파로를 집적하여 형성하는 광 도파로를 집적한 반도체 광 증폭기소자에 있어서, 상기 광 도파로는 상부 도파로층과 하부 도파로층으로 형성되며, 두 도파로층들 중 한 도파로층은 빛이 광 증폭기 쪽으로 진행함에 따라 상기 빛을 다른 도파로층으로 이전시키기 위하여 상기 광 증폭기와의 접합면 방향으로 테이퍼링되고, 상기 다른 도파로층은 상기 광 증폭기의 활성층과 접합되는 것을 특징으로 하는 광 도파로를 집적한 반도체 광 증폭기소자
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제 1 항에 있어서, 상기 광 증폭기의 활성층과 상기 광 도파로의 도파로층과의 접합면 위에 형성된 반도체 절연층을 더 포함한 것을 특징으로 하는 광 도파로를 집적한 반도체 광 증폭기소자
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제 1 항에 있어서, 상기 상부 도파로층과 하부 도파로층 사이에 공간층을 삽입하는 것을 특징으로 하는 광 도파로를 집적한 반도체 광 증폭기소자
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제 3 항에 있어서, 상기 공간층은 두 도파로층보다 낮은 굴절률과, 습식 에칭시 선택식각특성을 갖는 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 광 도파로를 집적한 반도체 광 증폭기소자
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제 4 항에 있어서, 상기 물질은 InP인 것을 특징으로 하는 광 도파로를 집적한 반도체 광 증폭기소자
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제 1 항에 있어서, 상기 두 도파로층들은 조성비가 다른 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 광 도파로를 집적한 반도체 광 증폭기소자
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반도체기판에 광 증폭기의 활성층과 캡층을 성장하는 제1단계와, 상기 반도체기판 위에 상기 광 증폭기의 활성층과 접합하는 광 도파로의 하부 도파로층을 성장하는 제2단계, 상기 하부 도파로층 위에 공간층과 상부 도파로층을 성장하는 제3단계, 상기 상부 도파로층이 광 증폭기 쪽으로 테이퍼링되도록 쐐기 모양으로 식각하는 제4단계, 및 상기 광 증폭기의 활성층과 광 도파로의 하부 도파로층과의 접합면 위에 반도체 절연층을 형성하는 제5단계를 포함한 것을 특징으로 하는 광 도파로를 집적한 반도체 광 증폭기소자 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 공간층은 두 도파로층보다 낮은 굴절률과, 습식 에칭시에 선택식각특성을 갖는 물질을 사용하여 성장한 것을 특징으로 하는 광 도파로를 집적한 반도체 광 증폭기소자 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 물질은 InP인 것을 특징으로 하는 광 도파로를 집적한 반도체 광 증폭기소자 제조방법
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