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유기물 전도체막의 미세 패터닝 방법, 이로부터 형성된미세 패턴화된 유기물 전도체막 및 이를 적용한 유기 박막트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015093969
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기물 전도체막의 미세 패터닝 방법, 이로부터 형성된 미세 패턴화된 유기물 전도체막 및 미세 패턴화된 유기물 전도체막을 적용시킨 유기 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기물 전도체의 미세 패터닝 방법은 노광조건을 제어하고, 리프트 오프 방법을 적용하여 유기물의 특성에 영향을 주지 않으면서 미세 패터닝이 가능한 방법을 제공하는 것이다. 유기물, 미세 패터닝, 감광막, 리프트 오프
Int. CL H01L 51/40 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 51/0016(2013.01) H01L 51/0016(2013.01)
출원번호/일자 1020040103698 (2004.12.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0668291-0000 (2007.01.08)
공개번호/일자 10-2006-0064995 (2006.06.14) 문서열기
공고번호/일자 (20070116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.09)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유인규 대한민국 대전 유성구
2 강승열 대한민국 대전 유성구
3 김기현 대한민국 대전 서구
4 안성덕 대한민국 대전 유성구
5 백규하 대한민국 대전 유성구
6 김철암 대한민국 대전 유성구
7 서경수 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0580926-31
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0295962-83
3 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0519412-35
4 의견서
Written Opinion		 2006.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0519425-28
5 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0741014-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.11.01 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2013-0994116-20
8 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2013.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0134846-97
9 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2013.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0150480-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(ⅰ) 플렉서블 기판위에 감광막을 형성하여 노광·현상하는 단계; (ⅱ) 감광막이 형성된 기판 위에 유기물 전도체를 습식 공정으로 도포하는 단계; 및(ⅲ) 노광 및 현상된 감광막 및 그 위의 유기물을 리프트 오프 방법을 사용하여 제거하는 단계를 포함하는 유기물 전도체의 미세 패터닝 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 플렉서블 기판으로는 폴리에테르 설폰 기판, 폴리이미드 기판 또는 폴리카보네이트 기판을 사용하는 것인 유기물 전도체막의 미세 패터닝 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 감광막의 노광·현상 단계(ⅰ)는 (a) 감광막을 1차 열처리하는 단계 ; (b) 열처리된 막을 I-라인으로 노광하는 단계; (c) 현상하는 단계; (d) 2차 열처리하는 단계를 포함하는 것인 유기물 감광제의 미세 패터닝 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 노광·현상 단계(ⅰ)에서, 노광은 노광시간 100m초 내지 600m초 및 초점깊이(DOF) -0
5 5
제 1항에 있어서, 상기 유기물 전도체로는 PEDOT/PSS를 사용하는 것인 유기물 전도체막의 미세 패터닝 방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 리프트 오프 방법은 유기물 전도체가 도포된 기판을 메틸아세톤과 접촉시켜 감광막과 그위의 유기물을 제거하는 것인 유기물 전도체막의 미세 패터닝 방법
7 7
제 1항 내지 제 6항중 어느 하나의 항에 따른 방법으로 미세 패턴화된 유기물 전도체막
8 8
제 7항에 따른 미세 패턴화된 유기물 전도체막을 적용한 유기 박막 트랜지스터
9 8
제 7항에 따른 미세 패턴화된 유기물 전도체막을 적용한 유기 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.