(a)기판 표면과 실질적인 단차없이 광섬유를 수용할 수 있도록, 적절한 폭과 깊이를 갖는 그루브를 기판에 형성하는 단계;

(b)포토레지스트를 이용하여 상기 광섬유를 상기 그루브에 접착하는 단계;

(c)상기 광섬유의 표면에 도전막을 원하는 패턴대로 형성하기 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;

(d)상기 포토레지스트 패턴이 형성된 결과물 상에 도전막을 형성하는 단계;

(e)상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 동시에 상기 그루브로부터 상기 광섬유를 분리하면서, 상기 포토레지스트 패턴 상에 형성된 도전막은 제거하되, 상기 광섬유 상에는 원하는 패턴대로 형성된 도전막을 남기는 단계; 및

(f)상기 도전막이 형성된 면의 반대면에 다른 도전막을 더 형성하기 위하여 상기 반대면에 대하여 상기 (a) 내지 (e) 단계를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 기판은 (100) 실리콘 기판이고, 상기 그루브는 (100) 실리콘 기판에서 <100> 방향과 <111> 방향의 식각속도가 다른 점을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 그루브를 형성하기 위하여 85℃ 정도의 약 45% KOH 용액을 사용하여 상기 기판을 식각하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 광섬유는 표면에서 코어까지의 거리가 미리 조절된 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는,

상기 그루브 내에 포토레지스트를 채우는 단계; 및

도전막이 형성될 면이 위쪽을 향하도록 상기 포토레지스트가 채워진 그루브에 상기 광섬유를 놓는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 광섬유를 상기 그루브에 접착하는 동안 상기 광섬유의 표면에 묻게 되는 포토레지스트를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 6 항에 있어서, 상기 포토레지스트를 제거하는 단계는,

상기 광섬유의 표면을 면봉으로 부드럽게 문지르는 단계;

상기 광섬유의 표면에 묻어 있는 포토레지스트는 현상할 수 있지만, 상기 그루브 내의 포토레지스트는 점성을 잃게 하지 않을 정도로 노광하는 단계;

상기 광섬유의 표면에 묻은 노광된 포토레지스트를 현상하여 제거하는 단계; 및

상기 기판을 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 6 항에 있어서, 상기 포토레지스트를 제거하는 단계는,

상기 광섬유 표면이 상기 기판 표면과 같거나 수 ㎛ 높게 상기 그루브 깊이 또는 상기 포토레지스트 두께 등을 맞춘 뒤 상기 기판 표면을 폴리싱하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계는

(c-1)상기 광섬유가 접착된 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계;

(c-2)상기 포토레지스트를 프리-베이크(pre-bake)하는 단계;

(c-3)상기 광섬유의 표면에 도전막이 형성될 부위에 개구부를 갖는 포토레지스트 패턴이 형성되도록 노광하는 단계;

제 9 항에 있어서, 상기 (c-1) 단계 전에 상기 기판을 HMDS(HexaMethylDisilazane) 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 9 항에 있어서, 상기 (c-5) 단계 이후, 상기 세정된 포토레지스트를 포스트-베이크(post-bake)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 11 항에 있어서, 상기 포스트-베이크하는 단계의 온도는 상기 프리-베이크 단계의 온도보다 낮은 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 9 항에 있어서, 상기 광섬유가 접착된 기판 상에 포토레지스트가 잘 도포되도록, 상기 (c-1) 단계 및 (c-2) 단계를 순차적으로 두 번 이상 수행한 다음 상기 (c-2) 이후의 단계를 수행하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 광섬유의 표면에 상기 도전막이 더 잘 부착되도록, 상기 (d) 단계 전에 상기 포토레지스트 패턴에 의하여 노출된 광섬유의 표면에 얕은 홈을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 14 항에 있어서, 상기 홈을 형성하는 단계는 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 결과물 상에 BOE(Buffered Oxide Etchant)를 적용하여 상기 광섬유의 노출된 표면을 등방성 식각하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 14 항에 있어서, 상기 홈의 깊이는 1㎛ 정도로 형성하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 도전막으로서 Au막을 진공 증착(vacuum evaporation) 방법에 의하여 형성하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 17 항에 있어서, 상기 Au막을 형성하기 전에 접착막(adhesion layer)으로서 Cr막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 18 항에 있어서, 상기 Cr막의 두께는 100Å 이상인 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 18 항에 있어서, 상기 Cr막을 형성하는 단계와 상기 Au막을 형성하는 단계는 인시튜(in-situ)로 수행하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 도전막으로서 Cr막, Al막, Cu막, Ag막, 도전성 폴리머막 또는 도핑된 반도체막을 형성하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 (e) 단계 이후 상기 도전막을 화학적 및 기계적으로 보호하기 위하여, 상기 도전막 상에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 22 항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 폴리이미드(polyimide)막인 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 광섬유는 원형의 단일모드 또는 다중모드의 광섬유이거나 D형 광섬유인 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 광섬유 상에 형성되는 도전막의 패턴은 준-위상 정합(quasi-phase matching)을 위한 사다리(ladder) 모양의 주기적인 패턴인 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 두 도전막이 형성된 광섬유를 이용하여 변조기, 전계 센서, 가변 필터, 파장 변환기, 스위치, 분산 보상기와 같이 광전자학 및 광통신에 이용되는 소자를 제조할 수 있도록, 상기 (e) 단계 이후 각 도전막에 전기장을 가하여 상기 광섬유를 폴링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법

제 1 항에 있어서, 상기 광섬유에 반사율, 굴절률 또는 응력 차이를 유도할 수 있도록, 상기 두 도전막은 서로 다른 물질막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 광섬유 상에 상호 절연된 두 도전막을 형성하는 방법