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평면형 마이크로 공동구조 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015094000
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막으로 밀봉된 마이크로 공동 구조(cavity structure) 형성 방법에 관한 것으로, 종래에는 식각 유도로(etch channel) 또는 마이크로 홀(hole)을 이용하여 밀폐된 공동 구조물을 제작하였으나 공동을 이루는 체적이 클 경우, 박막의 식각 선택도, 공정 시간 및 기판의 평탄화 유지 등이 문제가 된다. 본 발명은 이를 해결하기 위하여 실리콘 기판 상의 실리콘과 다결정 실리콘(polysilicon) 박막을 사용하여 열산화 시 실리콘 산화막의 체적팽창 원리를 이용 함으로서 실리콘 산화막이 공동 밀폐용 막으로 작용하여 기판에 평탄한 공동구조를 구현할 수 있도록 하였다.공동, 폴리실리콘, 열산화, 진공, 트렌치
Int. CL B81C 1/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019990054394 (1999.12.02)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0369324-0000 (2003.01.10)
공개번호/일자 10-2001-0053854 (2001.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20030124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.02)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최창억 대한민국 대전광역시유성구
2 전치훈 대한민국 대전광역시유성구
3 장원익 대한민국 대전광역시유성구
4 김윤태 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정지원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길**, ***호(서초동,서초빌리지프라자)(특허법인이노(제*분사무소))
2 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)
3 최종식 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)(신성특허법인(유한))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.12.02 수리 (Accepted) 1-1-1999-0161418-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.11.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2001.12.19 수리 (Accepted) 9-1-2001-0024642-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0198429-12
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-5181616-59
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.08.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0283487-86
9 의견서
Written Opinion		 2002.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-5216941-93
10 등록결정서
Decision to grant		 2003.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0000648-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

평면형 마이크로 공동구조 제조 방법에 있어서,

실리콘기판의 일정 두께를 선택 식각하여 공동이 형성될 영역에서 라인 및 스페이스가 반복되는 형상의 트렌치를 형성하는 제1단계;

제1 열산화 공정을 통해 상기 라인 및 스페이스 트렌치 영역에 제1실리콘산화막을 형성하는 제2단계;

상기 트렌치 내부를 제외한 상기 실리콘기판 표면 상의 상기 제1실리콘산화막을 식각하는 제3단계;

결과물 전면에 폴리실리콘막을 증착하고 상기 폴리실리콘막을 선택식각하여 상기 공동이 형성될 영역에 다수의 미세구멍을 형성하는 제4단계;

상기 다수의 미세 구멍을 통해 상기 제1실리콘산화막을 습식 식각으로 제거하는 제5단계; 및

제2 열산화 공정에 의해 상기 미세구멍을 제거하면서 상기 폴리실리콘막을 제2실리콘산화막으로 형성하는 제6단계

를 포함하여 이루어진 평면형 마이크로 공동구조 제조 방법

2 2

제1항에 있어서,

상기 제6단계에서 상기 미세구멍이 완전히 메워지지 않도록 하고, 진공상태에서 제3실리콘산화막 증착 공정을 실시하는 제7단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 마이크로 공동구조 제조 방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 라인 대 스페이스의 비율을 0

4 4

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 미세구멍을 정육각형 또는 원형의 형상으로 다수개 형성하는 것을 특징으로 하는 평면형 마이크로 공동구조 제조 방법

5 5

제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 제1실리콘산화막의 습식 식각은 HF 용액에서 이루어짐을 특징으로 하는 평면형 마이크로 공동구조 제조 방법

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1 US6342427 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.