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단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015094006
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, p-n 접합을 이용한 바이폴라 트랜지스터를 제조하는 과정에서 있어서, 일반적인 반도체 제조 공정으로 p타입의 단일 탄소 나노튜브의 소정 영역을 노출시킨 후 도핑 공정으로 p타입 탄소 나노튜브의 노출된 부분을 n타입의 단일 탄소 나노튜브로 형성하여 p-n-p 또는 n-p-n 바이폴라 트랜지스터를 제조함으로써, 집적도와 동작 속도를 향상시킬 수 있는 단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 탄소 나노튜브, p-n 접합, 바이폴라 트랜지스터, 도핑
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 27/102 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020010086832 (2001.12.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0426495-0000 (2004.03.29)
공개번호/일자 10-2003-0056570 (2003.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20040414) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.12.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최성율 대한민국 대전광역시유성구
2 윤용선 대한민국 대전광역시유성구
3 안성덕 대한민국 대전광역시유성구
4 송윤호 대한민국 대전광역시서구
5 이진호 대한민국 대전광역시유성구
6 조경익 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-0351459-02
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.20 수리 (Accepted) 9-1-2003-0058802-42
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0467964-05
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0032502-33
7 의견서
Written Opinion		 2004.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2004-0032503-89
8 등록결정서
Decision to grant		 2004.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0111306-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

p형 특성을 갖는 한가닥의 p형 단일 탄소 나노튜브; 및

상기 단일 탄소 나노튜브의 소정 영역이 산소 또는 알칼리 금속의 도핑에 의해 n형 특성을 갖도록 전환된 n형 단일 탄소 나노튜브를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자

2 2

p형 특성을 갖는 한가닥의 p형 단일 탄소 나노튜브의 에미터와 컬렉터; 및

상기 단일 탄소 나노튜브의 소정 영역이 산소 또는 알칼리 금속의 도핑에 의해 n형 특성을 갖도록 전환된 n형 단일 탄소 나노튜브의 베이스를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자

3 3

기판 상에 소정의 패턴으로 베이스, 컬렉터 및 에미터 전극을 형성하는 단계;

상기 전극들을 포함하는 상부에, p형 특성을 갖는 한가닥의 p형 단일 탄소 나노튜브를 형성하는 단계; 및

상기 단일 탄소 나노튜브의 소정 영역에 산소 또는 알칼리 금속의 도핑 공정을 수행하여 상기 소정영역을 n형 특성을 갖도록 전환하는 단계를 포함하되,

상기 베이스 전극의 상부에 형성된 단일 탄소 나노 튜브는 상기 컬렉터와 에키터 전극의 상부에 형성된 단일 나노튜브와 반대 극성을 갖도록 구성하는 것을 특징으로 하는 단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

4 4

기판 상에, p형 특성을 갖는 한가닥의 p형 단일 탄소 나노튜브를 형성하는 단계;

상기 단일 탄소 나노튜브의 소정 영역에 산소 또는 알칼리 금속의 도핑 공정을 수행하여 상기 소정영역을 n형 특성을 갖도록 전환하는 단계; 및

상기 단일 탄소 나노튜브 상에 소정의 패턴으로 베이스, 컬렉터 및 에미터 전극을 형성하는 단계를 포함하되,

상기 베이스 전극의 하부에 형성된 단일 탄소 나노 튜브는 상기 컬렉터와 에키터 전극의 하부에 형성된 단일 나노튜브와 반대 극성을 갖도록 구성하는 것을 특징으로 하는 단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

5 5

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 알칼리 금속은 K인 것을 특징으로 하는 단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자

6 6

제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,

상기 산소는 100 내지 250℃에서 산소 분위기의 열처리를 통해 도핑하는 것을 특징으로 하는 단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

7 7

제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,

상기 알칼리 금속은 K인 것을 특징으로 하는 단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

8 8

제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,

상기 기판 상부에 절연층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

9 9

p형 특성을 갖는 한가닥의 p형 단일 탄소 나노튜브로 이루어진 베이스; 및

상기 단일 탄소 나노튜브의 소정 영역이 산소 또는 도핑에 의해 n형 특성을 갖도록 전환된 n형 단일 탄소 나노튜브로 이루어진 에미터와 컬렉터를 포함하는 것을 특징으로 하는 단일 탄소 나노튜브를 이용한 반도체 소자

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1 US20030122133 US 미국 FAMILY

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1 US2003122133 US 미국 DOCDBFAMILY
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