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반도체 기판 상부의 소정 부분에 질화막을 형성하고, 상기 반도체 기판에 질화막이 형성되지 않아 노출된 부분을 소정 깊이 식각하는 공정과, 상기 반도체 기판의 식각된 부분을 열산화하여 필드 산화막을 형성하고 상기 질화막을 제거하는 공정과, 상기 필드 산화막을 마스크로 이용하여 상기 반도체 기판의 산화되지 않은 부분을 식각하여 홀을 형성하는 공정과, 상기 필드 산화막의 상부에 게이트 전극과 분리막을 순차적으로 형성하는 공정과, 상기 홀의 내부에 내열성 금속으로 원뿔형의 팁을 형성하는 공정과, 상기 분리막과 이 분리막 상부에 형성된 내열성 금속을 제거하는 공정을 구비하는 진공소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 기판이 P형 또는 N형인 진공소자의 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 반도체 기판으로 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 비정질 실리콘, 또는, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 및 비정질 실리콘이 조합된 것을 사용하는 진공소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기질화막 형성하기 전에 얇은 패드 산화막을 형성하고 질화막이 형성되지 않는 영역의 패드 산화막을 제거하는 공정을 더 구비하는 진공소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 기판의 노출된 부분을 500 ~ 10000Å의 깊이로 식각하는 진공소자의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 반도체 기판을 등방성 또는 이방성으로 식각하는 진공소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 필드 산화막을 500 ~ 20000Å의 두께로 형성하는 진공소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 홀을 500 ~ 20000Å의 깊이가 되도록 선택적으로 등방성 식각하는 진공소자의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 홀의 입구가 500 ~ 20000Å의 지름을 갖도록 형성하는 진공소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 분리막을 알루미늄 또는 나트륨으로 형성하는 진공소자의 제조방법
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11
제10항에 있어서, 상기 분리막을 스퍼터링 또는 진공증착 방법으로 형성하는 진공소자의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 분리막 형성시 반도체 기판을 5°~ 50°의 각도로 기울여 증착하는 진공소자의 제조방법
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제1 항에 있어서
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제13 항에 있어서, 상기 팁을 화학기상증착법, 스퍼터링 또는 증착방법으로 형성하는 진공소자의 제조방법
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