맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

이중층의내열성게이트를사용한자기정렬형GAAS전계효과트랜지스트의제조방법

  • 기술번호 : KST2015094029
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 29/772 (2006.01)
CPC H01L 29/66878(2013.01) H01L 29/66878(2013.01) H01L 29/66878(2013.01) H01L 29/66878(2013.01) H01L 29/66878(2013.01)
출원번호/일자 1019900021812 (1990.12.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0079472-0000 (1994.11.22)
공개번호/일자 10-1992-0013606 (1992.07.29) 문서열기
공고번호/일자 1019940007666 (19940822) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1990.12.26)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
2 심규환 대한민국 대전광역시 중구
3 맹성재 대한민국 대전광역시 동구
4 양전욱 대한민국 대전시대덕구
5 최영규 대한민국 대전광역시 동구
6 강진영 대한민국 대전광역시 유성구
7 이경호 대한민국 대전광역시 중구
8 이진희 대한민국 대전시대덕구
9 김도진 대한민국 대전광역시 중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1990.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128767-80
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1990.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128769-71
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1990.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128768-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1993.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0065756-60
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1993.12.16 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128770-17
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.01.27 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128772-19
7 의견서
Written Opinion		 1994.01.27 수리 (Accepted) 1-1-1990-0128771-63
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1994.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0065757-16
9 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1994.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0065759-07
10 등록사정서
Decision to grant		 1994.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0065760-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

갈륨비소기판상에 활성영역을 정의하기 위해 감광막패턴을 형성한 다음, 상기 활성영역에 n형 불순물을 이온주입하는 공정과, 상기 감광막패턴을 제거한 다음 규소층과 금속층을 순차 형성하는 공정과, 상기 금속층 상에 감광막패턴을 형성하여 게이트를 정의하는 공정과, 상기 게이트정의용 감광막패턴을 마스크로 사용하여 상기 금속층 및 규소층을 제거하여 이중층의 게이트를 형성하는 공정과, 다시 감광막패턴을 상기 기판상에 형성하여 소오스/드레인영역을 정의한 다음 이 감광막패턴과 상기 이중층의 게이트를 마스크로 사용하여 고농도의 n형 불순물을 상기 소오스/드레인영역에 이온주입하는 공정과, 이어, 열처리공정에 의해 상기 규소층이 금속규화물로 변하고 아울러, 이 규소층과 접촉하는 상기 금속층의 일부분이 금속규화물로 변하게 하는 공정 및, 상기 소오스/드레인영역위에 오옴전극을 형성하는 공정을 포함하는 이중층의 내열성 게이트를 사용한 자기정렬형 GaAs 전계효과 트랜지스터의 제조방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 금속층 및 규소층을 제거하여 이중층의 게이트를 형성하는 공정은 상기 금속층과 규소층의 식각선택비와 그리고 상기 규소층과 기판사이의 식각선택비의 차이점을 이용하여 T형의 게이트를 형성하는 자기정렬형 GaAs 전계효과 트랜지스터의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 텅스텐, 탄탈륨, 백금, 몰리브네늄 및 티타늄중 적어도 하나로 이루어진 자기정렬형 GaAs 전계효과 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05347317 JP 일본 FAMILY
2 US05225360 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP5347317 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH05347317 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US5225360 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.