P형 기판에 n+형매몰층(1)을 형성하고 그위에 에피텍셜층을 성장시틴 후 P웰 정의를 위한 산화막 성장 및 마스크공정을 하고 불순물보론주입후 기판까지 열확산하여 P웰(2)을 형성하며 그 위에 산화막을 성장후 질화막을 증착하고 P+접합격리(4)를 만든 다음 산화막을 성장하여 소자격리(3)을 완성하고 산화막제거후 CMOS의 게이트 산화막(5)을 성장시킨 후 불순물을 이온주입하여 바이포라 트랜지스터의 베이스(6)와 콜렉터(7)를 만들고 감광막제거후 다결정 실리콘을 증착시킨 다음 불순물을 주입하여 n+형으로 만들어 그위에 산화막 증착후 CMOS소자의 게이트(8)와 바이폴라 트랜지스터의 에미터(9)와 콜렉터)(10)를 형성한 다음 불순물을 주입하여 PMOS소자의 소오스/드레인(11)을 만들고 마스크작업부불순물을 주입하여 NMOS소자의 소오스/드레인(12)을 만들어 산화막을 증착한후 식각하여 n+실리콘 측면에 산화막(13)이 남도록한 다음 다결정 실리콘을 증착한 후 불순물을 열확산이나 이온주입 방법으로 도우핑시켜 P+형으로 만들어 열처리함으로써 저항성분이 낮은 P+형 비활성 베이스영역(15)을 형성한 후 상기 다결정실리콘이 바이폴라트랜지스터의 베이스(16)에만 남도록 마스크작업부 감광막을 제거한 다음 CMOS소자의 소오스/드레인을 위한 열처리 산화막증착 접촉마스크 알루미늄증착공정 등을 거쳐 형성하여서 된 것을 특징으로하는 고속 고집적 반도체소자(BICMOS)의 제조방법