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실리콘 기판에서의 인덕터 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015094137
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 기판을 이용한 인덕터에 관한 것으로서, 인덕터가 위치하고 있는 실리콘 기판상에 트랜치를 배열하고, 배열된 트랜치 내부에 불순물이 도핑(Doping)되지 않은 다결정 폴리실리콘을 채워서 인덕터의 충실도(Quality factor)를 향상시키기 위한 인덕터 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.일반적으로 고주파 집적회로(MMIC)를 설계하는 경우에는 디바이스 및 회로간에 임피던스 정합을 위하여 인덕터의 사용이 필수적이다. 인덕터의 특성은 인덕턴스의 값 뿐만 아니라 충실도에 의해 좌우된다. 그런데 충실도는 인덕터가 집적되는 기판의 종류 및 특성에 따라 크게 달라지게 된다. 실리콘 기판에 인덕터를 집적하는 이른바 집적형 인덕터는 능동소자인 실리콘 MMIC와 동일 칩 상에 제작되어 지는데, 표준 능동소자를 제작하기 위한 실리콘 기판은 일반적으로 저항값이 낮기 때문에 그에 따른 에너지 손실을 가져오게 되며, 기판의 저항치가 낮을수록 인덕터의 충실도는 떨어지게 되어 고주파 회로의 성능을 저하시키는 한 원인이 된다.따라서, 본 발명은 저저항 실리콘 기판상에 특정한 형태로 배열된 골이 깊은 트랜치를 형성하고, 그 속에 불순물이 도핑되지 않은 다결정 실리콘을 채워서 기판의 저항성분을 크게 함과 동시에, 인덕터와 실리콘 기판과의 기생 캐퍼시턴스를 줄임으로서 충실도를 향상시킬 수 있는 인덕터 장치 및 그 제조 방법을 제시한다.
Int. CL H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 28/10(2013.01) H01L 28/10(2013.01) H01L 28/10(2013.01) H01L 28/10(2013.01)
출원번호/일자 1019970075366 (1997.12.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1999-0055422 (1999.07.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.12.27)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진효 대한민국 대전광역시 유성구
2 이흥수 대한민국 대전광역시 유성구
3 유현규 대한민국 대전광역시 유성구
4 김보우 대한민국 대전광역시 유성구
5 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.12.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0234206-50
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0234205-15
3 특허출원서
Patent Application		 1997.12.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0234204-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.02.29 발송처리중 (Ready to be dispatched) 9-5-2000-0041936-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0041952-74
6 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2000.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0139195-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

인덕터 금속선의 하단 부분에 위치한 실리콘 기판에 배열된 2개 이상의 트랜치와,

상기의 트랜치를 둘러싸고 있는 절연막과,

상기의 절연막으로 둘러싸여 있는 상기 트랜치 내부에 채워진 불순물이 도핑 되지 않은 다결정 실리콘 영역과,

상기의 다결정 실리콘 상부 및 기판 전면에 증착된 절연막과,

상기의 절연막 상부의 선택된 부분에 형성된 인덕터의 제 1 금속선과,

상기의 제 1 금속선 및 기판 전면에 증착된 절연막과,

상기의 절연막의 선택된 부분을 관통하고, 제 1 금속선 상부의 선택된 부분에 형성된 비아홀과,

상기의 비아홀을 매립하여 상기 제 1 금속선과 연결하며, 기판 전면에 배열되는 제 2 금속선을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 트랜치와 트랜치 간의 간격이 트랜치 길이에 비해 좁은 형태로 배열된 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 트랜치의 폭에 비해서 깊이가 깊은 형태로 배열된 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 트랜치와 트랜치 사이의 벽이 절연막 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속성 하부에 배열된 트랜치 폭에 비해 트랜치의 길이가 길고, 상기 길이가 상부의 제 1 및 제 2 금속선으로 이루어진 인덕터의 평면길이 보다 긴 형태로 배열된 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치의 가로 및 세로의 길이가 비슷한 형태 및 원형 형태의 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치

7 7

제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속선 부분이 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치와 직교하는 형태의 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치

8 8

제 1 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치가 직사각형 형태의 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치

9 9

제 1 항 내지 제 7 항에 있어서, 상기 트랜치가 형성된 트랜치 기판은 본딩패드 및 고주파 신호 연결 배선에 이용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치

10 10

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 금속선은 나사 형태의 구조인 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치

11 11

제 1 항에 있어서, 상기 금속선은 3층 이상의 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 장치

12 12

실리콘 기판상에 제 1 절연막을 형성한 후, 상기 실리콘 기판 내의 선택된 부분에 마스크를 이용한 식각을 통해 둘 이상의 트랜치가 형성된 트랜치 기판을 형성한 후, 상기 트랜치 기판이 노출되도록 제 1 절연막을 제거하는 단계와,

상기 트랜치 기판에 산화 공정을 실시하여 제 2 절연막을 형성하는 단계와,

상기 트랜치 기판의 전체 구조상에 불순물이 도핑되지 않은 다결정 실리콘을 증착한 후, 화학적 및 기계적 연마법에 의해서 상기 제 2 절연막 표면까지 상기 다결정 실리콘을 연마하는 단계와,

상기 다결정 실리콘이 매립된 트랜치 기판상에 제 3 절연막 및 금속을 순차적으로 증착한 후, 마스크를 이용한 식각을 통해 제 1 금속선을 형성하는 단계와,

상기 제 1 금속선 상부에 제 4 절연막을 증착하고, 상기 제 4 절연막의 선택된 부분에 마스크를 이용한 식각을 통해 비아홀을 형성한 후, 금속을 증착한 다음에 마스크를 이용한 식각을 통해 제 2 금속선을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법

13 13

제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 트랜치와 트랜치 간의 간격이 트랜치 길이에 비해 좁은 형태로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법

14 14

제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 트랜치의 폭에 비해서 깊이가 깊은 형태로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법

15 15

제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 트랜치와 트랜치 사이의 모든 실리콘 벽이 산화 공정을 통해 절연막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법

16 16

제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속성 하부에 배열된 트랜치 폭에 비해 트랜치의 길이가 길고, 상기 길이가 상부의 제 1 및 제 2 금속선으로 이루어진 인덕터의 평면길이 보다 긴 형태로 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법

17 17

제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치의 가로 및 세로의 길이가 비슷한 형태 및 원형 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법

18 18

제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속선 부분이 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치와 직교하는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법

19 19

제 12 항에 있어서, 상기 트랜치는 인덕터 금속선 하부에 배열된 트랜치가 직사각형 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법

20 20

제 12 항 내지 제 19 항에 있어서, 상기 트랜치가 형성된 트랜치 기판은 본딩패드 및 고주파 신호 연결 배선 하단의 실리콘 기판에 이용되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법

21 21

제 12 항에 있어서, 상기 제 2 금속선은 나사 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법

22 22

제 12 항에 있어서, 상기 금속선은 3층 이상의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판에서의 인덕터 제조 방법

23 23

제 12 항에 있어서, 상기 제 2 및 제 4 절연막은 0

24 24

제 12 항에 있어서, 상기 제 3 절연막은 0

25 25

제 12 항에 있어서, 상기 제 1 금속선은 0

26 26

제 12 항에 있어서, 상기 제 2 금속선은 0

지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP11233727 JP 일본 FAMILY
2 US06093599 US 미국 FAMILY

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1 JP11233727 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH11233727 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 NL1010905 NL 네덜란드 DOCDBFAMILY
4 NL1010905 NL 네덜란드 DOCDBFAMILY
5 US6093599 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.