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액체 증착원을 수용하는 제1 저장수단, 상기 제1 저장수단에 수용된 액체 증착원을 기화기에 이송시키는 이송수단 및 상기 이송수단으로부터 주입된 액체 증착원을 기화시켜 증착 가스를 공급하는 기화기를 포함하여 이루어지는 증착가스 공급수단; 및 상기 증착가스 공급수단으로부터 증착가스를 공급받아 그 내부에 장착된 웨이퍼 상에 소정의 박막을 증착하기 위한 증착로; 를 포함하여 이루어지는 화학기상증착 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 증착가스 공급수단은, 액체 증착원을 수용하는 제2 저장수단, 상기 제2 저장수단에 수용된 액체 증착원을 가열하기 위한 열공급수단 및 운반가스 공급수단으로 이루어져 액체 증착원을 버블링하여 증착가스를 공급하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 증착로에 웨이퍼를 출입시키기 위하여 상기 증착로에 연결된 웨이퍼 입·출입 수단을 더 포함하는 화학기상증착 장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 증착로에 연결된 진공압 제공수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 증착가스 공급수단 및 상기 증착로에 각각 퍼지(purge) 가스, 운반가스 또는 희석 가스를 공급하기 위한 가스공급수단을 더 포함하는 화학기상증착 장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1 저장수단은 상온(실온)으로 유지되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 이송수단은, 이송되는 액체 증착원을 상기 기화기로 유입할 수 있고, 유입되는 액체 증착원의 유량을 제어할 수 있는 마이크로 펌프인 것을 특징으로 하는 화학기상증착 장치
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제 3 항에 있어서, 상기 증착로가 대기에 노출되는 것을 방지하기 위하여 상기 증착로와 상기 웨이퍼 입·출력 수단 사이에 진공압 제공수단과 연결되는 진공격리수단을 더 포함하는 화학기상증착 장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 증착로는, 상기 증착가스 공급수단으로부터 공급된 가스를 웨이퍼 상에 분사시키기 위한 가스분사기; 웨이퍼 지지대; 상기 웨이퍼 지지대에 장착된 웨이퍼에 열을 공급하기 위한 히터; 가스배기구; 를 포함하여 이루어지는 화학기상증착 장치
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10
증착로 안에 장착된 웨이퍼 상에 구리박막을 형성하기 위하여, 상기 증착로 안으로 (hfac)Cu(VTMOS)[1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4- pentanedionato(vinyltrimethoxysilane)copper(I):C10H13O5CuF6Si] 화합물을 주입하는 화학기상증착법에 의한 구리 박막 형성 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 증착로 안으로, H(hfac)[1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-pentanedione:C5H2O2F6] 화합물 더 주입하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착법에 의한 구리 박막 형성 방법
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제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 운반가스로는 알곤(Ar), 헬륨(He), 수소(H2), 질소(N2) 중 적어도 어느 하나를 사용하는 화학기상증착방법에 의한 구리 박막 형성 방법
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13
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 증착로 내의 온도는, 130 ℃ 내지 300 ℃인 것을 특징으로 하는 화학기상증착법에 의한 구리 박막 형성 방법
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14
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서, 상기 증착로 내의 압력은, 0
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