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고분자GRIN도파로의제조방법

  • 기술번호 : KST2015094152
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명는 균일한 굴절률 분포를 지니는 박막 형태의 고분자 양이온(cation) 교환수지에 이온교환 방법을 이용하여 굴절률이 도파로의 중심에서 가장 높고 중심에서 멀어질 수록 낮아지는 굴절률 분포를 지니는 GRIN(gradient index) 도파로를 제작하는 방법이다.본 발명은 제1양이온(예; Ng+, Li+등)으로 이온 교환된 고분자 양이온 교환 수지에 제1양이온 보다 상대적으로 굴절률이 높은 제2양이온(예; K+, Ag+등)을 수용액으로 부터 전기장을 이용하여 강제적으로 일정량 주입하고 동일한 방법으로 제1양이온들을 추가로 주입하여 굴절률 분포를 고분자 박막 내부로 이동시키는 방법으로 구성된 평면 도파로의 제작방법과, 제1양이온(예; Na+, Li+등)으로 이온 교환된 고분자 양이온 교환수지에 소정 패턴의 고분지 마스크의 열린 부분을 통하여 제1양이온보다 상대적으로 굴절률이 높은 제2양이온(예; K+, Ag+등)을 수용액으로 부터 전기장을 이용하여 강제적으로 일정량 주입하고, 동일한 방법으로 제1양이온들을 추가로 주입하여 굴절률 분포를 고문자 박막 내부로 이동시키는 방법으로 구성된 채널 도파로의 제작 방법으로 구성된다.
Int. CL G02B 6/24 (2006.01)
CPC G02B 6/1345(2013.01) G02B 6/1345(2013.01)
출원번호/일자 1019940021580 (1994.08.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0008362 (1996.03.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.08.30)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정상돈 대한민국 대전직할시유성구
2 송석호 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.08.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0097768-57
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.08.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0097767-12
3 특허출원서
Patent Application		 1994.08.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0097766-66
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0097769-03
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0097770-49
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0055077-36
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0055078-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

금속전극이 형성된 기판 위에 소정의 양이온을 함유하고 있는 고분자 양이온 교환수지를 형성하는 단계; 상기 고분자 양이온 교환수지를 제1양이온들이 용해된 수용액으로 소정의 이온교환 온도에서 이온 교환시키는 단계; 상기 수용액을 제1양이온 보다 굴절률의 변화가 상대적으로 큰 제2양이온들이 용해된 수용액으로 교환한후, 소정의 이온교환 온도에서 이온 교환시키는 단계; 및 상기 수용액을 제1양이온들이 용해된 수용액으로 다시 교환한 후, 소정의 이온교환 온도에서 이온 교환시켜 굴절률 분포를 고분자 양이온 교환수지 내부로 이동시키는 단계들로 이루어져, 고분자 도파로의 중심부에서 굴절률이 가장 늪고 중심부에서 멀어질 수록 굴절률이 점차적으로 감소하는 분포도를 갖는 고분자 평면 GRIN 도파로의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 이온교환 단계들은 상기 금속전극의 극성을 음(-)으로 하고 상기 수용액들의 극성을 양(+)으로 한 전기장을 형성하여 상기 수용액들에 소정 전압을 인가하면서 수용액내의 양이온들을 강제적으로 고분자 교환수지로 주입하여 이온 교환시키는 것을 특징으로 하는 고분지 평면 GRIN 도파로의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 고분자 양이온 교환수지를 제1양이온들이 용해된 수용액으로 이온 교환시키는 단계는 고분자 교환수지내의 양이온들과 이온 교환될 제1양이온들에 의해 고분자 박막 내부 전체의 굴절률 분포가 균일하도록 충분히 이온 교환시키는 것을 특징으로 하는 고분자 평면 GRIN 도파로의 제조방법

4 4

제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 제1양이온이 Na+ 및 Li+가운데 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 평면 GRIN 도파로의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 제2양이온은 K+ 및 Ag+가운데 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자평면 GRIN 도파로의 제조방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 고분자 양이온 교환수지에 함유된 소정의 양이온이 H+인 것을 특징으로 하는 고분자 평면 GRIN 도파로의 제조방법

7 7

제1항에 있어서, 상기 소정의 이온교환 온도들이 약 100℃이하인 것을 특징으로 하는 고분자 평면 GRIN 도파로의 제조방법

8 8

금속전극이 형성된 기판 위에 소정의 양이온을 함유하고 있는 고분자 양이온 교환수지를 형성하는 단계; 상기 고분자 양이온 교환수지를 제1양이온들이 용해된 수용액으로, 소정의 이온교환 온도에서 이온 교환시키는 단계; 상기 제1양이온들로 이온 교환된 고분자 박막 위에 소정 패턴의 마스크를 형성하는 단계; 상기 제1양이온보다 굴절률이 상대적으로 큰 제2양이온들이 용해된 수용액으로 상기 마스크의 열려진 부분을 통하여 소정의 이온교환 온도에서 제1양이온들을 부분적으로 제2양이온으로 교환시키는 단계; 및 상기 수용액을 제1양이온들이 용해된 수용액으로 교환한후, 소정의 이온교환 온도에서 이온 교환시켜 굴절률 분포를 고분자 박막 내부로 이동시키는 단계들로 이루어져, 고분자 도파로의 중심부에서 굴절률이 가장 높고 중심부에서 멀어질수록 굴절률이 점차적으로 감소하는 분포도를 갖는 고분자채널 GRIN 도파로의 제조방법

9 9

제8항에 있어서, 상기 이온 교환 단계들은 상기 금속전극의 극성을 음(-)으로 하고 상기 수용액들의 극성을 양(+)으로 한 전기장을 형성하여 상기 수용액들에 소정 전압을 인가하면서 수용액내의 양이온들을 강제적으로 고분자 교환수지로 주입하여 이온 교환시키는 것을 특징으로 하는 고분자 채널 GRIN 도파로의 제조방법

10 10

제8항에 있어서, 상기 고분자 양이온 교환수지를 제1양이온들이 용해된 수용액으로 이온 교환시키는 단계는 고분자 교환수지내의 양이온들과 이온 교환될 제1양이온들에 의해 고분자 박막 내부전체의 굴절률 분포가 균일하도록 충분히 이온 교환시기는 것을 특징으로 하는 고분자 채널 GRIN 도파로의 제조방법

11 11

제8항에 있어서, 상기 제1양이온이 Na+ 및 Li+ 가운데 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 채널 GRlN 도파로의 제조방법

12 12

제8항에 있어서, 상기 제2양이온은 K+ 및 Ag+ 가운데 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 채널 GRIN 도파로의 제조방법

13 13

제8항에 있어서, 상기 고분자 양이온 교환수지에 함유된 소정의 양이온이 H+인 것을 특징으로 하는 고분자 채널 GRIN 도파로의 제조방법

14 14

제8항에 있어서, 상기 소정의 이온교환 온도들이 약 100℃ 이하인 것을 특징으로 하는 고분자 채널 GRIN 도파로의 제조방법

15 15

제8항에 있어서, 상기 소정 패턴의 마스크가 고분자 감광제로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 채널 GRIN 도파로의 제조방법

16
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.