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기판;상기 기판 상의 광시야각 균질화 층;상기 광 시야각 균질화 층 상의 제 1 전극 층;상기 제 1 전극 층 상의 정공 수송 층;상기 정공 수송 층 상에 배치되어 방출 광을 생성하는 유기 발광 층;상기 유기 발광 층 상의 전자 수송 층; 및상기 전자 수송 층 상의 제 2 전극 층을 포함하되,상기 광 시야각 균질화 층은 물결 모양의 주름들을 포함하는 유기 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 주름들은, 상기 방출 광의 반사에 의해 상기 기판에서 반사되는 반사광의 진행 경로를 상기 유기 발광 층에서 상기 제 2 전극으로 진행하는 상기 방출 광의 진행 경로와 다르게 변경하여 상기 반사 광과 상기 방출 광의 미소 공진 간섭 현상을 방지하는 유기 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 주름들은, 상기 광 시야각 균질화 층 내의 벌크 주름들; 및상기 광 시야각 균질화 층의 상부 면의 상기 벌크 주름들 상에 배치되고, 상기 벌크 주름들보다 큰 물결 모양 주름으로 형성된 표면 주름들을 포함하는 유기 발광 다이오드
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제 3 항에 있어서,상기 표면 주름들은,주름 산들; 및 상기 주름 산들 사이의 주름 골들을 포함하되,상기 주름 산들은 100 나노미터 내지 3000 나노미터 피치를 갖는 유기 발광 다이오드
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제 4 항에 있어서,상기 주름 골들은 200 나노미터 내지 5000 나노미터의 깊이를 갖는 유기 발광 다이오드
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제 3 항에 있어서,상기 제 1 전극 층 내지 상기 제 2 전극 층은 상기 표면 주름들을 따라 주름진 모양을 갖는 유기 발광 다이오드
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제 2 항에 있어서,상기 광 시야각 균질화 층은 프리 폴리머를 포함하는 유기 발광 다이오드
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제 7 항에 있어서,상기 광 시야각 균질화 층은 상기 프리 폴리머 내의 광 개시제를 더 포함하는 유기 발광 다이오드
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기판 상에 광 시야각 균질화 층을 형성하는 단계;상기 광 시야각 균질화 층 상에 제 1 전극 층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 층 상에 정공 수송 층을 형성하는 단계;상기 정공 수송 층 상에 유기 발광 층을 형성하는 단계;상기 유기 발광 층 상에 전자 수송 층을 형성하는 단계; 및상기 전자 수송 층 상에 제 2 전극 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 광 시야각 균질화 층은 물결 모양의 주름들로 형성되는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 주름들은, 상기 광 시야각 균질화 층 내의 벌크 주름들; 및상기 광 시야각 균질화 층의 상부 표면에 형성되고, 상기 상기 벌크 주름들보다 큰 물결 모양 주름의 표면 주름들을 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 광 시야각 균질화 층의 형성 단계는, 상기 기판 상에 유기 용액을 형성하는 단계; 및상기 유기 용액을 경화시켜 상기 광 시야각 균질화 층을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 주름들은 상기 유기 용액의 경화 중에 형성되는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 유기 용액의 경화 단계는 자외선 노광 공정을 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 유기 용액의 경화 단계는 상기 유기 용액의 열처리 공정을 포함하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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