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자기정렬쌍극자트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015094171
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 컴퓨터나 통신기기 등의 차세대 고속 정보처리 시스템에 널리 이용되고 있는 고속 쌍극자(bipolar) 트랜지스터에 관한 것으로서, 실리콘 에미터 전극을 선택적 단결정 과성정(epitaxial lateral overgrowth)하여 에미터와 베이스가 자기정렬되게 하고 금속성 박막을 이용하여 베이스 기생저항을 크게 감소시킨 쌍극자 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 비활성 베이스로 금속성 박막인 티타늄 실리사이드를 사용하기 때문에 소자의 기생 베이스 저항이 작으며, 에미터와 베이스를 자기정렬시킴으로서 재현성이 높고 소자의 크기를 줄여 직접도를 높일 수 있는 장점이 있다.
Int. CL H01L 29/68 (2006.01)
CPC H01L 29/66234(2013.01) H01L 29/66234(2013.01)
출원번호/일자 1019940031325 (1994.11.26)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0163739-0000 (1998.09.08)
공개번호/일자 10-1996-0019764 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19981201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이수민 대한민국 대전직할시유성구
2 염병렬 대한민국 대전직할시유성구
3 한태현 대한민국 대전직할시유성구
4 조덕호 대한민국 대전직할시유성구
5 이성현 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141274-82
2 특허출원서
Patent Application		 1994.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141273-36
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141275-27
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141276-73
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141277-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0078881-12
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.04.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141280-56
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.04.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141278-64
9 의견서
Written Opinion		 1998.04.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0141279-10
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0078883-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 기판(41)에 약 1020atoms/cm3 이상의 고농도의 n형 또는 p형 불순물을 이온주입하여 서브 콜렉터(42)를 형성하고, 콜렉터(43)와 소자격리를 위한 산화막(44)을 형성한 후 약 1020atoms/cm3 이상의 고농도의 n형 또는 p형 불순물을 이온주입하여 콜렉터 싱커(44)와 베이스 박막(46)을 형성하는 단계; 상기 베이스 박막(46) 위에 BSG(boro-silicate glass)막(67)을 도포한 후 패터닝하여 비활성 베이스 영역과 활성영역을 정의하고 측벽 산화막(48)을 형성하여 에미터 활성영역을 정의하는 단계; 실리콘(49)을 선택적 다결정 과성장(epitaxial lateral overgrowth)하여 실리콘 에미터와 에미터 전극을 동시에 성장시킨후, 상기 실리콘(49)을 마스크로하여 상기 BSG막(67)을 식각하여 에미터와 베이스를 자기정렬 시키는 단계; 및 상기 비활성 베이스 영역과 에미터 전극인 실리콘(49) 상부에 선택적으로 티타늄 실리사이드(50)를 형성하고, 절연막(51) 도포후 금속배선(52)하는 단계로 이루어진 자기정렬 쌍극자 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.