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쌍극자트랜지스터의소자격리방법

  • 기술번호 : KST2015094172
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 쌍극자 트랜지스터를 제조함에 있어서, 소자격리를 하는 방법에 관한 것으로, n+ 매몰층(6)이 선택적으로 일 부분만 형성된 p-규소기판(5)상에 n-규소막(7), 규소게르마늄막(8), 산화막(9), 질화막(10) 및 다결정 규소막(11)을 연속적으로 도포하되, 저온의 화학기상증착법에 의해 에피층으로 성장시킨다. 그리고, 트렌치 패턴을 형성하여 기둥형상 구조물(12)을 형성하고, 컬렉터 패턴에 의해 트렌치 패턴 사이에 상기 n+ 매몰층(6)이 드러나도록 패턴을 형성하고, 산화막(13)을 도포하여 트렌치 패턴 및 컬렉터 패턴을 매몰하고 다결정규소막(11)을 연마 중지막으로 사용하여 산화막(13)을 평탄화 시키며, 다시 산화막(14)을 도포한 후 활성 마스크를 이용하여 산화막(14), 질화막(10), 산화막(9)을 제거하여 규소게르마늄막(8)을 노출시키는 공정을 수행하여 소자격리를 하도록 함에 특징이 있다.
Int. CL H01L 21/76 (2006.01) H01L 29/73 (2006.01)
CPC H01L 29/66234(2013.01) H01L 29/66234(2013.01)
출원번호/일자 1019940031734 (1994.11.29)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0149435-0000 (1998.06.05)
공개번호/일자 10-1996-0019794 (1996.06.17) 문서열기
공고번호/일자 (19981001) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.11.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조덕호 대한민국 대전직할시유성구
2 이수민 대한민국 대전직할시유성구
3 한태현 대한민국 대전직할시유성구
4 이성현 대한민국 대전직할시유성구
5 염병렬 대한민국 대전직할시유성구
6 강진영 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1994.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1994-0143130-63
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1994-0143132-54
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1994-0143131-19
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.07 수리 (Accepted) 1-1-1994-0143133-00
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1994-0143134-45
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0079896-64
7 의견서
Written Opinion		 1998.04.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0143136-36
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.04.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0143137-82
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.04.27 수리 (Accepted) 1-1-1994-0143135-91
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0079897-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

n+매몰층(6)이 선택적으로 일 부분만 형성된 p-규소기판(5)상에 n-규소막(7), 규소게르마늄막(8), 산화막(9), 질화막(10) 및 다결정규소막(11)을 연속적으로 도포하는 공정과; 소자격리를 위하여 트렌치 패턴 형성용 마스크를 이용하여 상기 다결정규소막(11), 질화막(10), 산화막(9), 규소게르마늄막(8), n-규소막(7) 및 n-매몰층(6)을 연속적으로 건식식각하여 식각된 트렌치 패턴의 외부에 기둥형상 구조물(12)을 형성하는 공정과; 컬렉터 마스크를 사용하여, 트렌치 패턴 사이에 있는 다결정규소막(11), 질화막(10), 산화막(9), 규소게르마늄막(8) 및 n-규소막(7)을 건식 식각하여 n+매몰층(6)이 드러나도록 식각하는 공정과; 산화막(13)을 도포하여 상기 트렌치 패턴 및 상기 컬렉터 마스크에 의하여 정의된 패턴을 매몰하고 다결정규소막(11)을 연마중지막으로 사용하여 산화막(13)을 평탄화 시키는 공정과; 산화막(14)을 도포한 후 활성 마스크를 이용하여 산화막(14), 질화막(10), 산화막(9)을 제거하여 규소게르마늄막(8)을 노출시키는 공정을 수행하도록 이루어진 것을 특징으로 하는 규소게르마늄 쌍극자 트랜지스터의 소자격리방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 규소게르마늄막(8), 산화막(9,13,14), 질화막(10) 및 다결정 규소막(11)은 계면에서 열적으로 스트레인이 이완되는 것을 방지하기 위한 저온의 화학기상증착법을 사용하여 도포하는 것을 특징으로 하는 규소게르마늄 쌍극자 트랜지스터의 소자격리방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 산화막(13) 연마시 연마중지막으로 사용되는 다결정 규소막(11)의 두께가 50-20nm인 것을 특징으로 하는 규소게르마늄 쌍극자 트랜지스터의 소자격리방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.