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비팅(Beating) 광이 입사되는 광 전도체; 및상기 광 전도체의 양 측면에 형성되고, 테라헤르츠 주파수 전류를 급전(Feeding) 받는 복수의 안테나 급전 전극;을 포함하는 테라헤르츠 연속파 발생/검출용 포토 믹서
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제 1 항에 있어서,상기 광 전도체는, 기판상에 형성된 저온 성장 반도체 층인 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 연속파 발생/검출용 포토 믹서
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제 2 항에 있어서,상기 저온 성장 반도체 층은,양 측면 사이의 폭이 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 연속파 발생/검출용 포토 믹서
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제 2 항에 있어서,상기 비팅 광은 도파로 구조를 통해 상기 저온 성장 반도체층에 입사되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 연속파 발생/검출용 포토 믹서
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제 2 항에 있어서,상기 복수의 안테나 급전 전극은 상기 기판과 수직을 이루는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 연속파 발생/검출용 포토 믹서
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제 1 항에 있어서,상기 광 전도체 내부에 균일한 전기장(Uniform electric field)이 형성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 연속파 발생/검출용 포토 믹서
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기판상에, 테라헤르츠 비팅 광이 입사되는 광 전도체 층이 형성되는 단계; 및사이 광 전도체 층의 양 측면에, 테라헤르츠 주파수의 전류를 급전(Feeding) 받는 복수의 안테나 급전 전극이 형성되는 단계;를 포함하는 테라헤르츠 연속파 발생/검출용 포토 믹서의 제작 방법
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제 7 항에 있어서,상기 테라헤르츠 비팅 광이 입사되는 광 전도체 층이 형성되는 단계 이후에,상기 광 전도체 층이 에칭되는 단계; 및상기 광 전도체 층이 에칭된 후에, 재성장 공정을 통해, 비팅 광의 입사를 위한 도파로 층이 형성되는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 연속파 발생/검출용 포토 믹서의 제작 방법
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제 7 항에 있어서,상기 테라헤르츠 주파수의 전류를 급전(Feeding) 받는 복수의 안테나 급전 전극이 형성되는 단계에서,상기 복수의 안테나 급전 전극은 상기 기판과 수직을 이루는 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠 연속파 발생/검출용 포토 믹서의 제작 방법
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