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기판;상기 기판의 일측 상에 분리되어 배치된 제 1 및 제 2 전극들;상기 제 1 및 제 2 전극들로부터 분리되어 상기 기판의 타측 상에 형성된 공통 전극;상기 공통 전극 및 제 1 전극 사이 및 상기 공통 전극과 상기 제 2 전극 사이를 각각 연결하는 제 1 및 제 2 레그들; 및상기 공통 전극 및 상기 제 1 전극 사이와 상기 공통 전극 및 상기 제 2 전극 사이의 상기 제 1 및 제 2 레그들 및 상기 기판을 덮고, 상기 제 1 및 상기 제 2 레그들과 상기 공통 전극 사이 및 상기 제 1 및 제 2 레그들과 상기 제 1 및 제 2 전극들의 단선(breaking)을 방지하는 제 1 및 제 2 장벽 패턴들을 포함하는 열전 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 레그들 각각은 상기 제 1 전극에 연결되는 제 1 접합 부분과, 상기 공통 전극에 연결되는 제 2 접합 부분을 포함하고,상기 제 2 레그들 각각은 상기 제 2 전극에 연결되는 제 3 접합 부분과, 상기 공통 전격에 연결되는 제 4 접합 부분을 포함하는 열전 소자
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제 2 항에 있어서,상기 제 1 장벽 패턴은 상기 제 1 접합 부분의 상기 제 1 레그들을 덮는 제 1 에지 장벽 패턴과, 상기 제 2 접합 부분의 상기 제 1 레그들을 덮는 제 2 에지 장벽 패턴을 포함하고, 상기 제 2 장벽 패턴은 상기 제 3 접합 부분의 상기 제 2 레그들을 덮는 제 3 에지 장벽 패턴과, 상기 제 4 접합 부분의 상기 제 2 레그들을 덮는 제 4 에지 장벽 패턴을 포함하는 열전 소자
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제 2 항에 있어서,상기 1 장벽 패턴은 상기 제 1 접합 부분에서 상기 제 2 접합 부분까지 상기 제 1 레그들을 따라 연장되고, 상기 제 1 레그들을 개별적으로 덮는 제 1 코팅 장벽 패턴들을 포함하고,상기 제 2 장벽 패턴은 상기 제 3 접합 부분에서 상기 제 4 접합 부분까지 상기 제 2 레그들을 따라 연장되고, 상기 제 2 레그들을 개별적으로 덮는 제 2 코팅 장벽 패턴들을 포함하는 열전 소자
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제 2 항에 있어서,상기 1 장벽 패턴은 상기 제 1 접합 부분에서 상기 제 2 접합 부분까지 상기 제 1 레그들을 따라 연장되고, 상기 제 1 레그들을 부분적으로 군집하여 덮는 제 1 코팅 장벽 패턴들을 포함하고,상기 제 2 장벽 패턴은 상기 제 3 접합 부분에서 상기 제 4 접합 부분까지 상기 제 2 레그들을 따라 연장되고, 상기 제 2 레그들을 부분적으로 군집하여 덮는 제 2 코팅 장벽 패턴들을 포함하는 열전 소자
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6
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레그들은 상기 제 1 및 제 2 장벽 패턴들과 동일한 두께를 갖는 열전 소자
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7
제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레그들은 실리콘 나노와이어들을 포함하는 열전 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레그들은 상기 기판으로부터 일정 거리로 이격되는 제 1 및 제 2 에어 갭들을 각각 갖는 열전 소자
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9
제 1 항에 있어서,상기 제 1 장벽 패턴과, 제 2 장벽 패턴들은 희귀 금속과 희토류 금속을 각각 포함하는 열전 소자
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10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 장벽 패턴과 제 2 장벽 패턴은 백금과 어븀을 각각 포함하는 열전 소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판과 상기 제 1 전극 사이, 상기 기판과 상기 제 2 전극 사이, 및 상기 기판과 상기 공통 전극 사이의 버퍼 층을 더 포함하는 열전 소자
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기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 평행한 제 1 및 제 2 레그들을 형성하는 단계;상기 제 1 및 제 2 레그들 상에 제 1 및 제 2 장벽 패턴들을 각각 형성하는 단계; 및상기 제 1 및 제 2 레그들의 일측의 상기 기판 상에 제 1 및 제 2 전극들과, 상기 제 1 및 제 2 레그들의 타측의 상기 기판 상에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제 1 및 제 2 장벽 패턴들은 상기 제 1 및 제 2 레그들과 상기 공통 전극 사이 및 상기 제 1 및 제 2 레그들과 상기 제 1 및 제 2 전극들 사이의 단선(breaking)을 방지하는 열전 소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 기판의 제공 단계는,상기 기판 상에 버퍼 층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼 층 상에 실리콘 층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 제 1 및 제 2 레그들은 상기 실리콘 층의 패터닝에 의해 형성되는 열전 소자의 제조방법
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14
제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레그들 아래의 버퍼 층을 제거하여 상기 제 1 및 제 2 레그들과 상기 기판 사이의 제 1 및 제 2 에어 갭을 형성하는 단계를 더 포함하는 열전 소자의 제조방법
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15
제 12 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 장벽 패턴들의 형성 방법은 상기 제 1 및 제 2 레그들 상에 희귀 금속 및 희토류 금속을 형성하는 단계; 및상기 희귀 금속 및 상기 희토류 금속을 열처리하는 단계를 포함하는 열전 소자의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 희귀 금속 및 상기 희토류 금속의 열처리는 600도 이상으로 수행되는 열전 소자의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 희귀 금속과 상기 희토류 금속은 금속 증착 방법으로 형성된 백금과 어븀을 각각 포함하는 열전 소자의 제조방법
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제 15 항에 있어서,상기 희귀 금속과 상기 희토류 금속은 인쇄방법 또는 적하방법으로 형성된 열전 소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 장벽 패턴은, 제 1 에지 장벽 패턴, 제 2 에지 장벽 패턴, 제 1 코팅 장벽 패턴, 및 제 1 블록 장벽 패턴 중 적어도 하나를 포함하고,상기 제 2 장벽 패턴은 제 3 에지 장벽 패턴, 제 4 에지 장벽 패턴, 제 1 코팅 장벽 패턴, 및 제 2 블록 장벽 패턴 중 적어도 하나를 포함하는 열전 소자의 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 장벽 패턴들은 상기 제 1 및 제 2 레그와 동일한 두께로 형성되는 열전 소자의 제조방법
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