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소신호 선형성 향상을 위한 비선형 능동소자인 FET(Field Effect Transistor)형(MOSFET 혹은 MESFET) 소신호 선형화 장치에 있어서, 입력신호를 증폭하여 입력신호 및 왜곡신호를 출력하는 신호증폭수단; 및 상기 신호증폭수단의 종단에 입력단만 공유하고, 드레인 전류에 대한 게이트 전압의 미분값의 왜곡신호가 크도록 동작점을 잡은 적어도 하나의 비선형 능동소자와 궤환회로로 이루어진 선형성 개선수단을 구비하되, 상기 선형성 개선수단에서 궤환된 왜곡신호가 상기 신호증폭수단에 입력되고 증폭되어, 통신신호의 입력신호가 상기 신호증폭수단의 비선형성에 의해 생성된 왜곡신호를 위상이 반대가 되는 조건으로 상쇄하여 왜곡신호의 선형성을 향상시키는 것을 특징으로 하는 소신호 선형화 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 선형성 개선수단은, 궤환을 이용하여 소신호 선형성을 개선하기 위하여, 제1 비선형 능동소자(FET), 제1 직류 부가회로, 제1 부하로 이루어진 상기 신호증폭수단의 종단에 대해, 게이트만을 공유한 제2 비선형 능동소자(FET), 제2 직류 부가회로와 직류 전류 절연을 위한 캐패시터, 제2 부하 및 수동소자로 이루어진 전압-병렬 궤환회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 소신호 선형화 장치
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제 2 항에 있어서, 상기 제2 비선형 능동소자(FET)는, 왜곡신호를 궤환할 목적으로 상기 제1 비선형 능동소자(FET)에 병렬 연결되되, 바이어스 조건을 상기 제1 비선형 능동소자(FET)와 다르게 함으로써 왜곡 크기의 부호를 상기 제1 비선형 능동소자(FET)와 다르게 하는 것을 특징으로 하는 소신호 선형화 장치
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제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 선형성 개선수단은, 상기 제2 비선형 능동소자(FET)의 게이트전압을 상기 제1 비선형 능동소자(FET)의 동작전압 이하에서 조절하여 추가되는 전력소모가 무시할 수 있는 정도이면서 입력신호가 상기 제2 비선형 능동소자(FET)를 통과하여 생성된 3차 왜곡신호를 상기 전압-병렬 궤환회로를 통하여 공통으로 묶여진 게이트로 궤환시키며, 궤환된 신호를 상기 제1 비선형 능동소자(FET)를 통하여 선형 증폭시키고, 3차 왜곡신호를 본래의 통신신호가 상기 제1 비선형 능동소자(FET)의 비선형성에 의하여 생성된 3차 왜곡신호와 상쇄시켜 선형성을 개선시키는 것을 특징으로 하는 소신호 선형화 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 선형성 개선수단은, 궤환을 이용하여 소신호 선형성을 개선하기 위하여, 비선형 능동소자(FET), 직류 부가회로, 제1 부하로 이루어진 상기 신호증폭수단의 종단에 대해, 적어도 두 개의 비선형 능동소자(FET), 적어도 두 개의 직류 부가회로와 직류 전류 절연을 위한 적어도 두 개의 캐패시터, 상기 적어도 두 개의 비선형 능동소자(FET)에 대하여 공통인 제2 부하, 수동소자로 이루어진 전압-병렬 궤환회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 소신호 선형화 장치
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제 5 항에 있어서, 상기 적어도 두 개의 비선형 능동소자(FET)는, 왜곡신호를 발생시켜 궤환할 목적으로, 상기 비선형 능동소자(FET)와 병렬 연결되되, 바이어스 조건을 상기 비선형 능동소자(FET)와 다르게 함으로써 왜곡 크기의 부호를 상기 비선형 능동소자(FET)와 다르게 하는 것을 특징으로 하는 소신호 선형화 장치
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제 1 항, 제 5 항 또는 제 6 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 선형성 개선수단은, 상기 적어도 두 개의 비선형 능동소자(FET)의 게이트전압을 상기 비선형 능동소자(FET)의 동작전압 이하에서 조절하여 추가되는 전력소모가 무시할 수 있는 정도이면서 입력신호가 상기 적어도 두 개의 비선형 능동소자(FET)를 통과하여 생성된 3차 왜곡신호를 상기 전압-병렬 궤환회로를 통하여 공통으로 묶여진 게이트로 궤환시키며, 궤환된 신호를 상기 비선형 능동소자(FET)를 통하여 선형 증폭시키고, 3차 왜곡신호를 본래의 통신신호가 상기 비선형 능동소자(FET)의 비선형성에 의하여 생성된 3차 왜곡신호와 상쇄시켜 선형성을 개선시키는 것을 특징으로 하는 소신호 선형화 장치
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