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전력전계효과트랜지스터의에어브릿지형성방법

  • 기술번호 : KST2015094240
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 부가적인 식각공정이 수행되면 도금표면이 거칠어지게 되고 금식각용액에 의해 소자의 다른 부분도 식각되어 결국 수율이 저하되는 문제를 해결한 측면성장이 없는 에어브릿지의 형성 방법을 제공한다.제1 및 제2금속층(5,6)으로 이루어지는 복수의 단위 게이트들이 형성된 웨이퍼의 표면에 2미크론미터정도의 두께로 제1의 이중성 감광막(2)을 도포하고 이중성 감광막의 음성 프로필 특성을 이용하여 에어브릿지의 포스트 패턴을 형상반전 방법으로 형성하고, 이때 형성되는 패턴은 음성 프로필이기 때문에 그 상태에서 바탕금속을 기판표면에 증착하면 포스트 패턴의 측면부위에서 바탕금속은 연결되지 못하고 끊어지게 되므로, 이것을 방지하기 위해 제1 이중성 감광막(2)의 포스트 패턴을 감광막의 연화온도에서 약 5분간 동안 열처리하여 음성 프로필이 약간 양성의 성질을 갖도록하고, 전자선 가열증착기에 의해 기판의 표면에 티타늄 및 금을 각각 20옴스트론 및 80옴스트론 정도씩 순차로 증착하여 바탕금속층(3)을 형성하며, 그후 제2의 이중성 감광막(4)을 약 2미크론미터 정도의 두께로 도포하고 위에서 1차로 정의된 에어브릿지의 포스트폭 보다 좁게(바람직하게는 1미크론미터 정도 좁게)정의 하는데, 이어 전기도금 방법에 의해 기판의 표면에 금을 입힌 후 불필요한 제1의 이중성 감광막(2), 바탕금속층(3) 및, 제2의 이중성 감광막(4)을 용매(예를들면, 아세톤)를 사용하여 거하 된다.
Int. CL H01L 29/772 (2006.01)
CPC H01L 29/42312(2013.01) H01L 29/42312(2013.01) H01L 29/42312(2013.01)
출원번호/일자 1019930005880 (1993.04.08)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0099406-0000 (1996.05.13)
공개번호/일자 10-1994-0025041 (1994.11.19) 문서열기
공고번호/일자 1019960002089 (19960210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.04.08)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 맹성재 대한민국 대전직할시동구
2 문재경 대한민국 대전직할시유성구
3 이종람 대한민국 대전직할시서구
4 윤광준 대한민국 대전직할시대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.04.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0032236-99
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.04.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0032240-72
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.04.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0032238-80
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.04.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0032239-25
5 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.04.08 수리 (Accepted) 1-1-1993-0032237-34
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.19 수리 (Accepted) 1-1-1993-0032241-17
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0011474-05
8 등록사정서
Decision to grant		 1996.05.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0011476-96
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판(1) 위에 패터닝된 제1의 금속층(5)과 제2의 금속층(6)으로 이루어지는 복수의 단위 게이트가 형성된 웨이퍼의 표면에 전력 FET를 위한 에어브릿지를 형성하는 방법에 있어서, 상기 웨이퍼의 표면에 제1의 이중성 감광막(2)을 도포하고 음성 프로필을 이용하여 상기 에어브릿지를 위한 포스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 포스트 패턴을 소정의 연화온도에서 열처리하는 공정과, 전자선 가열증착에 의해 바탕금속층(3)을 형성하는 공정과, 제2의 이중성 감광막(4)을 도포하고 상기 포스트 패턴의 폭보다 1㎛ 좁게 정의하는 공정과, 전기도금 방법에 의해 패터닝된 웨이퍼의 표면위에 금을 입히고 용매를 사용하여 상기 제1의 이중성 감광막(2), 상기 바탕금속층(3) 및, 상기 제2의 이중성 감광막(4)을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전력전계효과 트랜지스터의 에어브릿지 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 상기 포스트 패턴을 130℃에서 5분 동안 열판에 의해 가열하는 것을 특징으로 하는 전력전계효과 트랜지스터의 에어브릿지 형성방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 바탕금속층(3) 형성공정은 20Å의 두께로 티타늄을 증착하고 이어 80Å의 두께로 금을 증착하는 것을 특징으로 하는 전력전계효과 트랜지스터의 에어브릿지 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.