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반도체광스위치제조방법

  • 기술번호 : KST2015094252
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광스위치의 집적도증가 및 도파로 폭설계등의 조건을 완화시켜 우수한 성능의 광스위치를 제작하는 데 목적이 있는 것으로, 본 발명에서 제안된 광스위치는 에피성장, 홈(groove)식각, Zn확산, 전극증착등에 의하여 제작되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분에서 홈식각되어지고, 입력광에 대하여 반사면을 이루는 부분에서 홈식각되어 Zn 확산이 깊숙이 이루어져 전류주입이 집중되어 지고 홈의 양옆으로는 p/n/p/n 접합이 형성되어 전류주입이 차단되어 진다.즉, p형 접촉면적은 도파로 폭전체에 형성되어지고 전류 주입은 홈식각된 반사면을 이루고자하는 부분에서만 이루어진다.그결과 p옴 저항접촉면적을 극대화시켜 접촉저항이 최소화하고, p형 전극증착시에 1㎛정도의 리쏘그라피 정렬조건이 제거되어 제작공정이 수월해진다.도파로폭이 설계요건을 완화시켜 3~4㎛폭까지 가능해지고, 동작전력의 감소로 집적도 및 교환용량 향상에 기여할 수 있다.
Int. CL H01L 29/8605 (2006.01) H01L 29/86 (2006.01)
CPC H01L 29/86(2013.01) H01L 29/86(2013.01) H01L 29/86(2013.01) H01L 29/86(2013.01) H01L 29/86(2013.01)
출원번호/일자 1019930018267 (1993.09.10)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1995-0010147 (1995.04.26) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.09.10)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
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대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.09.10 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095775-96
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.09.10 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095776-31
3 특허출원서
Patent Application		 1993.09.10 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095774-40
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.01 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095777-87
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095778-22
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0039242-64
7 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0095779-78
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0039243-10
9 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1997.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0039244-55
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체 광스위치를 제조하는 방법에 있어서, n형 InP기판(1)위에 에피택시법으로 n형 광도파로층(2)과, n형 InP클래드층(3) 및, n형 InP캡층(5)을 순차로 성장시키는 단계와, 반사면을 이루는 부분의 상기 캡층(5)을 홈모양으로 식각한 후에 전면 Zn을 확산시키는 단계와, 상기 반사면을 이루는 부분에 p형 전극(7)을 증착하고 상기 광도파로층(2)위의 각층을 식각한 후 n형 전극(8)을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광스위치 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 클래드층(3)의 형성이 완료된 후 전류차단을 위한 p형 InP블로킹층(4)을 추가로 성장시키고 상기 캡층(5)을 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 광스위치 제조방법

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광도파로층(2)은 도핑되지 않는 InGaAsP나 p형의 InGaAsP로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 광스위치 제조방법

지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP02792826 JP 일본 FAMILY
2 JP07152052 JP 일본 FAMILY
3 KR1019970004488 KR 대한민국 FAMILY
4 US05581108 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2792826 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP7152052 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH07152052 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5581108 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.