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소정의 마스크(2,2')를 사용하여 규소기판A(1)위에 서로 다른 높이의 단차A 및 단차B를 갖는 패턴(3)(5,7)을 형성하는 공정(a)와, 상기 단차형성후 기판A(8) 위에 산화막(9)을 형성하되, 그 산화막(9)중 돌출된 산화막의소정 부분을 제거하여 제거된 부분에 내화금속 실리사이드 등을 사용하여 배선전극(20)을 형성한 후 그 위에 산화막(21), 다결정규소(10)를 증착하는 공정(b)와, 상기 다결정규소(10)를 경면화(11)한 다음, 기판접착법에 의하여 선공정된 기판A(12)와 기판B(13)를 접착시키는 공정(d)과, 상기 기판A의 뒷면(14,15)을 연마공정 및 식각에 의하여 소정 두께로 상기 기판A의 뒷면(14, 15)을 박막화하는 공정 (라)과 상기 기판A 의 뒷면(14,15)을 상기 산화막(9)이 나올때까지 선택연마에 의하여 연마한 후, 그 위에 단차 A를갖는 규소박막층(16)과 단차B를 갖는 규소박막층(17)을 형성하되, 상기 산화막(9)에 의해서 격리시키는 공정(e)를 포함하는 기판접합기술을 이용한 SOI구조의 기판 제조방법
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