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제어부가, PUF 모드 선택신호를 입력받게 됨에 따라 플래시 메모리에 대한 프로그램 전압 조건과 소거 전압 조건 및 읽기 전압 조건중에서 하나 이상을 변화시키는 제어신호를 전압 조절부에게로 출력하는 단계; 및상기 전압 조절부가, 상기 제어신호를 입력받게 됨에 따라 상기 플래시 메모리에 대한 프로그램 전압 조건과 소거 전압 조건 및 읽기 전압 조건중에서 하나 이상을 변화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 제어 방법
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청구항 1에 있어서,상기 프로그램 전압 조건은 상기 플래시 메모리에 대한 프로그램 동작시 인가되는 단일 펄스의 전압 크기와 펄스 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 제어 방법
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청구항 1에 있어서,상기 읽기 전압 조건은 논리값 0,1을 구분하기 위한 읽기 기준전압의 크기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 제어 방법
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청구항 1에 있어서,상기 프로그램 전압 조건을 근거로 프로그램 명령을 수행한 상기 플래시 메모리의 문턱전압 분포의 평균값 또는 중간값이 상기 읽기 전압 조건에 포함되는 읽기 기준전압으로 설정되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 제어 방법
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청구항 1에 있어서,상기 소거 전압 조건은 상기 플래시 메모리에 대한 소거 동작시 인가되는 단일 펄스의 전압 크기와 펄스 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 제어 방법
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청구항 8에 있어서,상기 소거 전압 조건을 근거로 소거 명령을 수행한 상기 플래시 메모리의 문턱전압 분포의 평균값 또는 중간값이 상기 읽기 전압 조건에 포함되는 읽기 기준전압으로 설정되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 제어 방법
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10
PUF 모드 선택신호를 입력받게 됨에 따라 플래시 메모리에 대한 프로그램 전압 조건과 소거 전압 조건 및 읽기 전압 조건중에서 하나 이상을 변화시키는 제어신호를 출력하는 제어부; 및상기 제어부로부터의 제어신호를 입력받게 됨에 따라 상기 플래시 메모리에 대한 프로그램 전압 조건과 소거 전압 조건 및 읽기 전압 조건중에서 하나 이상을 변화시키는 전압 조절부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 제어 장치
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청구항 10에 있어서,상기 프로그램 전압 조건은 상기 플래시 메모리에 대한 프로그램 동작시 인가되는 단일 펄스의 전압 크기와 펄스 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 제어 장치
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청구항 10에 있어서,상기 읽기 전압 조건은 논리값 0,1을 구분하기 위한 읽기 기준전압의 크기를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 제어 장치
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청구항 10에 있어서,상기 프로그램 전압 조건을 근거로 프로그램 명령을 수행한 상기 플래시 메모리의 문턱전압 분포의 평균값 또는 중간값이 상기 읽기 전압 조건에 포함되는 읽기 기준전압으로 설정되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 제어 장치
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청구항 10에 있어서,상기 소거 전압 조건은 상기 플래시 메모리에 대한 소거 동작시 인가되는 단일 펄스의 전압 크기와 펄스 시간을 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 제어 장치
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청구항 17에 있어서,상기 소거 전압 조건을 근거로 소거 명령을 수행한 상기 플래시 메모리의 문턱전압 분포의 평균값 또는 중간값이 상기 읽기 전압 조건에 포함되는 읽기 기준전압으로 설정되는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리의 동작 제어 장치
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