바이폴러 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 전도성 매몰 컬렉터(2)가 형성된 반도체 기판(1)에 제1산화막(3), 베이스 전극용 전도성 반도체 박막(4) 및 제2산화막(5)을 순차적으로 형성하는 제1과정과; 활성영역을 정의하여 상기 제2산화막(5)과 베이스 전극용 반도체 박막(4)을 패터닝하고, 그 제2산화막(5) 및 베이스전극용 반도체 박막(4)의 노출된 측벽에 제1스페이서용 측면 절연막을 형성시키는 제2과정과; 상기 활성영역의 노출된 제1산화막(3)을 제거하고 그 활성영역에 컬렉터용 전도체 반도체 박막(8)을 상기 베이스 전극용 반도체 박막(4)과 같은 높이로 선택적으로 형성하는 제3과정과; 상기 제3과정의 결과물의 상면에 있는 제2산화막(5)을 제거하고, 그 결과물 전면 위에 Si(9)/도핑않된 SiGe(10)/도핑된 SiGe(11)/Si(12)의 다층으로 이루어진 베이스층 및 실리사이드 박막(13)을 형성하는 제4과정과; 베이스 영역을 정의하여 상기 실리사이드 박막(13) 및 베이스층을 패터닝하고, 제3산화막(14)을 증착시키는 제6과정과; 에미터 영역을 정의하는 마스크로 상기 제3산화막(14)과 상기 실리사이드 박막(13)을 식각하여 상기 베이스층을 노출시키고 식각된 측벽에 제2스페이서용 측벽 절연막(15)을 형성하는 제7과정과; 상기 에미터 영역에 선택적으로 에미터 박막(16)을 성장시키고, 그 위에 에미터 전극용 다결정 규소박막(17)을 증착하여 에미터 전극을 패터닝하는 제8과정과; 상기 제8과정의 결과물에 패시베이션 절연막(18)을 증착후 금속 접촉창을 형성하여 배선용 금속을 증착 및 패터닝하는 제9과정;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 선택적 컬렉터 박막 성장을 이용한 초자기정렬 바이폴러 트랜지스터의 제조방법