| 1 |
1
반절연성 화합물반도체 기판 위에 완충층, 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터 캡층이 성장된 이종접합 구조의 HBT 에피 웨이퍼를 사용하여 에미터 전극을 형성하고, 베이스 층의 표면까지 메사식각 후 베이스 전극을 순차적으로 형성하는 공지의 제1과정과, 상기한 컬렉터층을 일부 남긴 상태에서 컬렉터 전극패턴을 정의하고, 잔류 컬렉터층을 제거한 후, 컬렉터 전극을 형성하는 제2과정과, 능동소자 영역 위에 표면의 외곽이 돌출된 형태의 감광막을 정의하고, 공지의 방법으로 반절연성 기판까지 습식의 메사식각을 수행하는 제3과정과, 상기 감광막을 마스크층으로 계속 활용하면서, 전자 사이클로트론 공명(ECR) 플라즈마 증착법을 이용하여, 감광막이 손상되지 않은 상온에서 유전체 절연막을 웨이퍼 전면에 도포함으로써, 소자분리 영역과 감광막이 보호하는 능동소자간의 큰 단차로 인해 유전체막의 단락을 유도하는 제4과정과, 유기용매에 의해 능동소자 영역 위의 단락된 유전체 절연막을 제거하여 선택적으로 소자분리 영역에만 유전체 절연막을 매립시키는 제5과정과, 보다 평탄화된 현 상태에서 웨이퍼 전면에 공지의 PECVD 플라즈마를 이용하여 유전체 절연막을 도포하고, 금속접촉창을 정의한 후, 금속배선을 형성하는 제6과정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 금속배선의 평탄화에 도움이 되도록, 상기한 컬렉터 전극의 형성시, 컬렉터 전극만 부컬렉터층에 접촉하도록 하고, 컬렉터 전극의 주변영역은 컬렉터층이 잔류하도록 형성하는 것을 특징으로 하는, 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 감광막을 염화벤젠에 담가 표면을 경화시키고 현상하여 감광막의 표면 외곽에 돌출부가 형성함으로써, 소자분리를 위한 메사식각을 수행한 다음, 감광막 상부의 유전체 절연막이 단락되어 용이하게 리프트오프될 수 있도록 하며, 1장의 마스크 만을 사용하여 메사식각과 메사영역에의 선택적 유전체 절연막 매립을 가능하게 한 것을 특징으로 하는, 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상부가 돌출된 감광막을 이용하여 소자분리 메사식각을 수행한 상태로 상온에서 고농도의 플라즈마를 발생시키는 것이 가능하도록 하고 후속공정에서 유전체 절연막의 단락을 유도하는데 유리한 ECR 화학증착법을 이용하여 유전체 절연막을 웨이퍼 전면에 도포할 때 감광막 측벽에의 절연막 증착을 최대한 억제하여, 이후, 절연막의 리프트오프에 의해 금속배선의 평탄화를 가능하도록 한 것을 특징으로 하는, 이종접합 쌍극자 소자의 제조방법
|
