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트렌치 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015094373
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 트렌치 내부에 막을 채우는 과정에서 빈 공간이 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있는 트렌치 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명은 트렌치 영역을 정의하는 절연막 패턴 및 감광막 패턴을 형성하고 절연막 패턴의 측벽을 습식식각하여 절연막 패턴이 정의하는 트렌치 영역을 확장시키고 건식식각 공정을 실시하여 비교적 그 입구가 넓고 완만한 주 트렌치(main trench)를 형성함과 동시에 주 트렌치에 인접하여 기생 트렌치(parasitic trench)를 형성하는데 그 특징이 있다. 즉, 본 발명은 입구가 넓은 트렌치 형성 및 트렌치 입구에 두꺼운 산화막을 형성하는 기술에 관한 것이다. 본 발명은 1차 건식식각, 습식식각 및 2차 건식식각을 이용하여 주 트렌치 입구를 넓고 둥글게 형성시키면서 이 과정에서 생성되는 기생트렌치를 이용하여 트렌치 입구에 비교적 두꺼운 산화막을 성장시켜서 소자의 누설전류 및 항복전압 특성을 향상시키는데 다른 특징이 있다.
Int. CL H01L 21/76 (2006.01)
CPC H01L 21/76224(2013.01) H01L 21/76224(2013.01)
출원번호/일자 1019980044519 (1998.10.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0275501-0000 (2000.09.21)
공개번호/일자 10-2000-0026815 (2000.05.15) 문서열기
공고번호/일자 (20001215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.10.23)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상기 대한민국 대전광역시 유성구
2 김종대 대한민국 대전광역시 유성구
3 구진근 대한민국 대전광역시 유성구
4 남기수 대한민국 대전광역시 유성구
5 김대용 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1998-0355656-76
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1998-0355655-20
3 특허출원서
Patent Application		 1998.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1998-0384562-52
4 등록사정서
Decision to grant		 2000.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0219164-87
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

트렌치(trench) 형성 방법에 있어서,

기판 상에 절연막 및 감광막 패턴을 차례로 형성하는 제1 단계;

상기 감광막 패턴을 식각마스크로 상기 절연막을 식각하여 트렌치 형성 영역의 상기 기판을 노출시키는 제1 절연막 패턴을 형성하는 제2 단계;

상기 제1 절연막 패턴을 식각마스크로 상기 기판을 식각하여 제1 트렌치를 형성하는 제3 단계;

상기 제1 절연막 패턴의 측벽을 습식식각하여, 상기 제1 절연막 패턴 보다 큰 폭으로 상기 기판을 노출시키는 제2 절연막 패턴을 형성하는 제4 단계;

상기 감광막 패턴을 제거하는 제5 단계;

상기 제2 절연막 패턴을 식각마스크로 상기 제1 트렌치 하부의 상기 기판을 건식식각하여, 주 트렌치(main trench)를 형성함과 동시에 상기 주 트렌치의 입구에 인접한 상기 기판 내에 기생 트렌치(parasitic trench)를 형성하는 제6 단계; 및

상기 제2 절연막 패턴을 제거하는 제7 단계

를 포함하는 트렌치 형성 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 제7 단계 후,

열산화 공정을 실시하여 상기 제7 단계가 완료된 전체 구조 상에 열산화막을 형성하되, 상기 주 트렌치의 입구에 타영역 보다 상대적으로 두꺼운 열산화막을 형성하는 제8 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 트렌치 형성 방법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 주 트렌치(main trench)의 입구는 상기 제1 트렌치의 입구 보다 크고, 상기 주 트렌치의 모서리는 상기 제1 트렌치의 모서리보다 완만한 것을 특징으로 하는 트렌치 형성 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.